Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) для создания нового поколения приборов и устройств для микро- наноэлектроники

Докладчик: Вяткин Анатолий Федорович

Должность: заместитель директора

Цель проекта:
Разработка лабораторной технологии планаризации поверхности материалов, применяемых в микро- и наноэлектронике (кремний, медь) до уровня средней шероховатости поверхности кремниевой пластины после обработки – не более 0,5 нм (до обработки более 1,0 нм) и медной пластины – не более 0,5 нм (до обработки более 5,5 нм) методами ионно-кластерных пучковых технологий для разработки нового поколения приборов и устройств в различных отраслях промышленности.

Основные планируемые результаты проекта:
1. Основные результаты:
- разработка программы моделирования процессов планаризации поверхности полупроводниковых и металлических материалов (кремний, медь) ускоренными кластерными ионами;
- разработка эскизной конструкторской документации и изготовление узлов лабораторного стенда для получения планаризованных материалов для наноэлектроники (кремний, медь);
- исследование процессов планаризации ускоренными ионно-кластерными пучками поверхности полупроводниковых и металлических материалов микро- и наноэлектроники (кремний, медь).
2. Преимущества разработки по сравнению с лучшим аналогом:
Предельная величина шероховатости поверхности структур в методе:
- селективного химического травления: 50 - 100 нм
- химико-механической полировки: 1-5 нм
- планаризации пучками газовых кластерных ионов: 0.5 - 1,0 нм




Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
Развитие современных процессов микроэлектроники и переход на проектные нормы создания СБИС на уровень 14 – 10 нм требуют планаризации поверхности на каждом межоперационном процессе на уровне 0,5 нм, что недостижимо с использованием традиционных методов.
Другие области применения:
- сверхмелкая имплантация ионов в p-n переходы для сверхвысокочастотных приборов терагерцового диапазона;
- нанесение нанослоев различных металлов, полупроводников, изоляторов в машинах и механизмах;
- оптоэлектронные и оптические приборы

Текущие результаты проекта:
Разработана конструкция рабочей камеры с узлом 3-х мерного сканирования образцов кластерным пучком для лабораторного стенда для получения планаризованных материалов для наноэлектроники (кремний, медь).