Регистрация / Вход
Прислать материал

Магнитные и сегнетоэлектрические гетороструктуры для нового поколения запоминающих устройств

Докладчик: Сигов Александр Сергеевич

Должность: главный научный сотрудник, президент МГТУ МИРЭА

Цель проекта:
Проведение теоретических, экспериментальных и технологических исследований в области создания магнитных и сегнетоэлектрических гетероструктур для создания перспективных энергонезависимых запоминающих структур.

Основные планируемые результаты проекта:
1 Проведение патентных исследований по теме проекта (МГТУ МИРЭА, IEMN).
2 Обзор литературы по теме исследований (МГТУ МИРЭА, IEMN).
3 Разработка метода формирования сегнтетоэлектрических гетероструктур (МГТУ МИРЭА).
4 Исcледование физических процессов в сегнетоэлектрических гетероструктурах (МГТУ МИРЭА, IEMN).
5 Разработка физико-конструктивных подходов создания устройств памяти на новых физических
принципах (МГТУ МИРЭА, IEMN).

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
Проект основан на десятилетнем опыте сотрудничества Института электроники, микроэлектроники и
нанотехнологий (IEMN-CNRS, Франция), Ecole Centrale де Лилль (ЕС-Лилль, Франция) и Московского
государственного технического университета радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА,
Россия) в рамках международно связанных лабораторий LEMAC / LICS. Проект должен стать первым
шагом для будущего сотрудничества в европейской программе Horizon 2020, русский партнер является
мировым центром фундаментальных исследований в области сегнетоэлектричества и сегнетоэлектрических
компонентов, в то время как французский партнер является одним из пионеров в нанотехнологии активных
магнитоупругих пленок для мультиферроидных структур. Тесное сотрудничество этих двух учреждений
позволит достичь прогресса в области физики и технологии нанокомпозитных мультиферроиков.

Текущие результаты проекта:
Результаты теоретических, экспериментальных и технологических исследований в области создания
новых материалов, структур и устройств на их основе.