Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц

Докладчик: Рыжий Виктор Иванович

Должность: Заведующий лабораторией, Заведующий лабораторией

Цель проекта:
Целью данного ПНИ является разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей Х-диапазона частот на базе широкозонных наногетероструктур AlGaN/AlN/GaN, изготовление экспериментальных образцов МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц, проведение исследовательских испытаний.

Основные планируемые результаты проекта:
В ходе выполнения ПНИ должны быть получены следующие научно-технические результаты:
2.1. Прототипы схемных решений усилителей мощности, характеризующихся увеличенными удельной мощностью с единицы ширины канала и отводом тепла от кристалла, для определения наиболее эффективных вариантов формирования наногетероструктур.
2.2. Научно- технические решения по проектированию и моделированию МИС малошумящих усилителей и формирование типового решения для измерения СВЧ параметров.
2.3. Научно-технические решения по выбору оптимального состава слоев и условий пассивации нитридных гетероструктур технологического комплекса по плазмо-химическому осаждению тонких пленок диэлектриков для технологической линейки по изготовлению МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей (УМ и МШУ) на нитридных наноготероструктурах.
2.4. Научно-технические решения в области создания технологии обработки высокотвердых теплопроводящих подложек карбида кремния с МИС усилителей мощности, обеспечивающие максимальную мощность, выделяемую на кристалле.
2.5. Методы в области технологии кислородной зачистки, приклейки, снятия, шлифовки и резки пластин карбида кремния с апробацией на экспериментальной технологической линейке.
2.6. Методы создания отказоустойчивых МИС усилителей мощности и омических контактов к нитридным гетероструктурам с пониженным удельным сопротивлением.
2.7. Методы создания перспективных систем сложения мощностей усилителей и топологии МИС с использованием высокомолекулярных полимеров для организации межсоединений.
2.8. Методы проектирования и изготовления МИС усилителя мощности и малошумящего усилителя.
2.9. Технические требования и предложения по реализации (коммерциализации) результатов НИР в реальных секторах экономики.

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
3.1. В результате НИР будет разработана базовая технология изготовления МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей Х-диапазона частот на базе широкозонных наногетероструктур AlGaN/AlN/GaN. Полученные в ходе работы результаты могут быть использованы для создания новых видов радиоэлектронных устройств
мм-диапазона - приемо-передающих модулей для систем связи и передачи информации.
3.2. Полученные в ходе работы результаты могут быть использованы ведущими отечественными предприятиями в области создания и разработки приборов СВЧ электроники и других электронных приборов, в том числе ФГУП «НПП «Исток», НПП "Пульсар", ОАО "Российские космические системы", ОАО «ОКБ-Планета» а так же использованы предприятиями отрасли инфокоммуникаций для обеспечения потребностей инфраструктуры сетей беспроводной широкополосной передачи информации. Отечественная элементная база приобретет элементы для создания радиоэлектронных устройств мм-диапазона и технологию производства приемо-передающих модулей для сверхширокополосных систем связи и передачи информации в Х- диапазоне частот.
3.3. Разработкой и внедрением информационно-телекоммуникационных систем и сетей в России занимается научно-производственная фирма «Информационные и сетевые технологии» (НПФ «ИНСЕТ»). Однако, как следует из перечня ее проектов, эта организация решает прежде всего вопросы программного обеспечения, ориентируясь на западную элементную базу. Между тем, развитие отечественной элементной базы в данном диапазоне - важнейшая задача с точки зрения технологического развития России и обеспечения ее безопасности.

Текущие результаты проекта:

4.1 Выполнен аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему, исследуемую в рамках ПНИ.
4.2 Проведены патентные исследования.
4.3 Выполнен аналитический обзор по разработке перспективных монолитных интегральных схем МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей Х-диапазона частот
4.4 Разработаны предложения по обоснованию развиваемого направления исследований.
4.5 Проведены исследования по оптимизации состава слоев нитридных гетероструктур на подложках SiC для изготовления МИС УМ и МШУ Х-диапазона.
4.6 Проведена разработка и оптимизация технологии формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам.
4.7 Выполнен анализ возможности использования высокомолекулярных полимеров для организации межсоединений и топологических элементов сложения мощности в МИС УМ Х-диапазона.
4.8 Проведены исследования по выбору оптимального состава слоев и условий пассивации нитридных гетероструктур технологического процесса плазмо-химическому осаждения тонких пленок диэлектриков для технологической линейки по изготовлению МИС УМ и МШУ на нитридных наноготероструктурах.