Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование конструктивно-технологических решений для разработки элементной компонентной базы высокотемпературной микроэлектроники на структурах кремний на изоляторе.

Докладчик: Игнатов Павел Викторович

Должность: главный конструктор элементной базы, главный конструктор элементной базы

Цель проекта:
1.Разработка базового технологического процесса изготовления КМОП ИС с проектными нормами не более 0.5 мкм работающих при температуре до 225 С 2.Исследование и разработка комплекса конструктивно-технологических решений, направленных на создание технологий и конструкций изделий высокотемпературной микроэлектроники на рабочий диапазон температур от минус 60ºС до плюс 225ºС на структурах кремний на изоляторе с проектными нормами 0,5 мкм.

Основные планируемые результаты проекта:
1. Комплекс конструктивно-технологических решений в составе:
Технологический маршрут изготовления кристаллов изделий ВТ микроэлектроники на КНИ структурах;
Правила проектирования изделий ВТ микроэлектроники на КНИ структурах с проектными нормами 0,5 мкм;
Результаты моделирования в системе TCAD порогового напряжения и тока насыщения транзисторов NMOП и PMOП типа на КНИ структурах;
Лабораторные образцы тестового кристалла с набором тестовых структур;
Экспериментальный образец сложно-функционального блока (СФБ) ВТ микроэлектроники на КНИ структурах;
Методика исследований процессов деградаций элементов конструкции кристаллов изделий высокотемпературной микроэлектроники на КНИ структурах;
Технические требования и предложения по производству и эксплуатации продукции с учетом возможностей и особенностей индустриального партнера
Проект ТЗ на проведение ОТР по теме: «Разработка базового технологического процесса изготовления изделий ВТ электроники с проектными нормами 0,5 мкм»
2.
2.1минимальный размер затвора МОП транзистора не более 0,5 мкм;
2.2 полную диэлектрическую изоляцию всех транзисторов;
2.3 количество слоев металлизации – не менее 3-х;
2.4 пороговые напряжения МОП транзисторов в диапазоне 0,8 – 1,6 В.
2.5 Время задержки на инвертор – не более 150 пс в диапазоне температур от минус 60ºС до плюс 225ºС.
2.6 Ток потребления при напряжении питания 5 В – не более 1 мкА в диапазоне температур от минус 60ºС до плюс 225ºС.
3.Конструктивно технологические решения должны базироваться на возможностях производственной линии индустриального партнера.
4.Применяемые технологические решения аналогичны технологическим решениям ф. Honeywell
5.Применение приборно-технологического моделирования для расчета электрических характеристик элементной базы , разработка тестового кристалла , разработка функционально-сложного блока кольцевого генератора, изготовление тестового кристалла и образцов кольцевого генератора и проведение измерений температурной зависимости электрических параметров .
Риски и ограничение: отсутствие у индустриального партнера технологического оборудования необходимого для реализации разработанных конструктивно-технологических решений.

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
1.Микроэлектроника

2.Разработка и изготовление индустриальным партнером на базе полученных результатов ИС в рабочем диапазоне до 225 С для космической применения, авиационная промышленности, нефтедобывающей промышленности.

3.Внедрение результатов ПНИЭР позволит обеспечит импортозамещение применяемой зарубежной элементной базы высокотемпературной электроники предприятиями радиоэлектронного комплекса России.

Текущие результаты проекта:
1.Разработан аналитический обзор.
2.Проведено приборно-технологическое моделирование температурной зависимости параметров элементной базы высокотемпературной электроники(МОП транзисторы N-и Р типа с проектными нормами 0.5 мкм) .