Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка научно-технических решений для повышения надежности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники аппаратуры космического назначения

Докладчик: Гудков Александр Григорьевич

Должность: профессор, профессор

Цель проекта:
Цели НИР: Разработка научно-технических решений и методики оценки надёжности и радиационной стойкости для расчёта времени наработки до отказа элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники для космических аппаратов. Разработка, изготовление и экспериментальные исследования элементов и узлов монолитных интегральных схем СВЧ, обладающих повышенной стойкостью к воздействию перепадов температуры и ионизирующих излучений. В результате выполнения проекта будут разработаны методика оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники и проект технического задания на проведение ОКР по теме «Разработка конструкций и технологий производства приборов и устройств гетероструктурной СВЧ электроники для космических применений». Реализация проекта явится одним звеньев создания отечественной радиационно стойкой элементной базы для космических применений.

Основные планируемые результаты проекта:
Основные результаты проекта:
Методика и результаты экспериментальных исследований диффузионных процессов в экспериментальных образцах многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате воздействия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики ВАХ экспериментальных образцов элементов (диодов, транзисторов) и pin-диодов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики функциональных характеристик экспериментальных образцов узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики спектральных характеристик токового шума экспериментальных образцов элементов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур (диодов, транзисторов) и pin-диодов в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики спектральных характеристик токового шума экспериментальных образцов функциональных узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Инструкция по проведению контроля параметров многослойных полупроводниковых гетероструктур, элементов и устройств на их основе.
Регламент проведения измерений для оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники.
Методика оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники.
Проект технического задания на проведение ОКР по теме «Разработка конструкций и технологий производства приборов и устройств гетероструктурной СВЧ электроники для космических применений».
Основные характеристики планируемых результатов:
элементная база полупроводниковой СВЧ электроники на основе материалов GaAs, GaN, SiC: pin-диоды, транзисторы, РТД. МИС СВЧ: фазовращатели, переключатели.
Научной новизной обладают:
Методика и результаты экспериментальных исследований диффузионных процессов в многослойных полупроводниковых гетероструктурах в результате воздействия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики ВАХ элементов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики функциональных характеристик экспериментальных образцов узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики спектральных характеристик токового шума элементов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Методика и результаты экспериментальных исследований кинетики спектральных характеристик токового шума функциональных узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Инструкция по проведению контроля параметров многослойных полупроводниковых гетероструктур, элементов и устройств на их основе.
Заявленные результаты соответствуют мировому уровню.
Заявленные результаты планируется получить путем применения современных методов исследования полупроводниковых структур и приборов на их основе, в частности, ИК-спектроэллипсометрии, Оже-спектроскопии, рентгенофлуоресцентной спектрометрии, зондовой микроскопии, шумовой спектроскопии.

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
Продукция будет востребована в космической отрасли для решения задач радиолокации, радиосвязи, навигации, телекоммуникаций.
В качестве основного потребителя ожидаемых результатов выступит ОАО «Светлана-Электронприбор».
К практическому внедрению планируются:
Программа и методика экспериментальных исследований диффузионных процессов в экспериментальных образцах многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате воздействия перепадов температуры и ИИ.
Программа и методика экспериментальных исследований кинетики ВАХ экспериментальных образцов элементов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Программа и методика экспериментальных исследований кинетики функциональных характеристик экспериментальных образцов узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Программа и методика экспериментальных исследований кинетики спектральных характеристик токового шума экспериментальных образцов элементов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Программа и методика экспериментальных исследований кинетики спектральных характеристик токового шума экспериментальных образцов функциональных узлов МИС СВЧ в результате действия перепадов температуры и ИИ.
Инструкция по проведению контроля параметров многослойных полупроводниковых гетероструктур, элементов и устройств на их основе.
Регламент проведения измерений для оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники.
Методика оценки надёжности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники.
Предполагаемыми потребителями ожидаемых результатов являются также: РКК «Энергия», ОАО «ИРЗ», ФГУП «НПП «Исток», ФГУП «НИИ «Субмикрон», ФГУП «ЦНИИ «Комета», ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс», ФГУП «НИИ командных приборов», ФГУП «НПП «Геофизика-Космос», Российский институт радионавигации и времени, ВНИИ МЭМ, НПО «Аврора», ОАО «ВПК «НПО Машиностроение», ОАО «Светлана», ЗАО «Светлана-Рост», ОАО «НПП «Исток» им. Шокина, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Технологическая платформа «Национальная информационная спутниковая система», Роскосмос, Минпромторг, предприятия радиоэлектронного комплекса РФ.
Планируемые результаты являются звеном в решении задачи обеспечения космической отрасли отечественной радиационно стойкой элементной базой.
Результаты НИР будут использованы для подготовки специалистов по направлениям "Проектирование и технологии РЭС", "Радиоэлектронные системы и комплексы", "Наноинженерия".

Текущие результаты проекта:
Проводятся работы 1-го этапа в соответствии с календарным планом.