Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка научно-технических решений для повышения надежности и радиационной стойкости элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники аппаратуры космического назначения

Номер контракта: 14.574.21.0116

Руководитель: Гудков Александр Григорьевич

Должность: профессор

Организация: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана (национальный исследовательский университет)"
Организация докладчика: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана"

Аннотация скачать
Постер скачать
Ключевые слова:
многослойные полупроводниковые гетероструктуры, ионизирующие излучения, монолитные интегральные схемы свч, надежность.

Цель проекта:
Разработка научно-технических решений и методики оценки надёжности и радиационной стойкости для расчёта времени наработки до отказа элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники для космических аппаратов. Разработка, изготовление и экспериментальные исследования элементов и узлов монолитных интегральных схем СВЧ, обладающих повышенной стойкостью к воздействию перепадов температуры и ионизирующих излучений. Реализация проекта обеспечит вклад в решение задачи создания отечественной радиационно стойкой элементной базы для космических применений.

Основные планируемые результаты проекта:
Результаты теоретических и экспериментальных исследований кинетики вольт- амперных характеристик (ВАХ), диффузионных процессов, влияния процессов деградации экспериментальных образцов элементов (диодов, транзисторов) и pin-диодов монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ионизирующих излучений (ИИ).

Краткая характеристика создаваемой/созданной научной (научно-технической, инновационной) продукции:
Продуктом создаваемой научной продукции является:

Методики оценки надёжности и радиационной стойкости для расчёта времени наработки до отказа элементной базы полупроводниковой СВЧ электроники для космических аппаратов.
Элементы и узлы монолитных интегральных схем СВЧ, обладающих повышенной стойкостью к воздействию перепадов температуры и ионизирующих излучений.

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
Интегральные схемы СВЧ – диодов, транзисторов и функциональных узлов, построенных на их основе – фазовращателей, переключателей. Данная продукция будет востребована в космической и радиоэлектронной отраслях для решения задач радиолокации, радиосвязи, навигации, телекоммуникаций.
В качестве основного потребителя ожидаемых результатов выступит ОАО «Светлана-Электронприбор». Предполагаемыми потребителями ожидаемых результатов являются также: РКК «Энергия», ОАО «ИРЗ», ФГУП «НПП «Исток», ФГУП «НИИ «Субмикрон», ФГУП «ЦНИИ «Комета», ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс», ФГУП «НИИ командных приборов», ФГУП «НПП «Геофизика-Космос», Российский институт радионавигации и времени, ВНИИ МЭМ, НПО «Аврора», ОАО «ВПК «НПО Машиностроение», ОАО «Светлана», ЗАО «Светлана-Рост», ОАО «НПП «Исток» им. Шокина, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Технологическая платформа «Национальная информационная спутниковая система», Роскосмос, Минпромторг, предприятия радиоэлектронного комплекса РФ.
Планируемые результаты являются звеном в решении задачи обеспечения космической отрасли отечественной радиационно стойкой элементной базой.
Результаты НИР будут использованы для подготовки специалистов по направлениям "Проектирование и технологии РЭС", "Радиоэлектронные системы и комплексы", "Наноинженерия".

Текущие результаты проекта:
Исследованы физические процессы деградации элементов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате воздействия перепадов температуры и ИИ, теоретически исследована кинетика ВАХ элементов и функциональных характеристик функциональных узлов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ИИ, исследовано влияние процессов деградации элементов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате воздействия перепадов температуры и ИИ на характеристики функциональных узлов СВЧ, спроектирована конструкторская документация и изготовлены экспериментальные образцы базовых полупроводниковых структур, разработана программа и методика экспериментальных исследований диффузионных процессов в экспериментальных образцах многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате воздействия перепадов температуры и ИИ, разработана и изготовлена оснастка для проведения экспериментальных исследований, разработан и изготовлен лабораторный стенд для исследования шумовых характеристик экспериментальных образцов элементов и функциональных узлов МИС СВЧ, разработана программа методики и проведены экспериментальные исследования кинетики ВАХ элементов и функциональных характеристик функциональных узлов МИС СВЧ на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур в результате действия перепадов температуры и ИИ, проведены дополнительные патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96, поданы 2 заявки на патент, число публикаций в научных журналах индексируемых в базе данных Scopus 5 шт., принято участие в 4 мероприятиях по демонстрации и популяризации результатов достижений ПНИР.