Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование и разработка технологий элементной базы высокотемпературной микро и наноэлектроники

Номер контракта: 14.581.21.0007

Руководитель: Чаплыгин Юрий Александрович

Должность руководителя: Ректор

Докладчик: Стахин Вениамин Георгиевич, директор дизайн-центра «Проектирование интегральных микроэлектронных систем» - ответственный исполнитель работ по проекту

Аннотация скачать
Постер скачать
Презентация скачать
Ключевые слова:

Цель проекта:
Целью выполнения ПНИЭР является разработка технологий изготовления элементной базы высокотемпературной микро - и наноэлектроники, способной функционировать при температурах выше 200°С, для применения в экстремальных условиях эксплуатации.

Основные планируемые результаты проекта:
1. Основные планируемые результаты:
1.1 Технологический маршрут изготовления и конструкция элементов высокотемпературной микроэлектроники на КНИ структурах с проектной нормой 0.5 - 0,35 мкм.
1.2 Комплект документации базовых технологий и конструкций сложнофункциональных изделий высокотемпературной микро и наноэлектроники.
1.3 Правила схемотехнического и технологического моделирования.
1.4 Тестовые КНИ МДП структуры высокотемпературной микроэлектроники.
1.5 Технология сборки высокотемпературной микроэлектроники на КНИ МДП структурах.
1.6 Образцы СФ блока высокотемпературного операционного усилителя.
1.7 Стенды и методики исследования тестовых элементов и СФ блоков .
2. Ожидаемые результаты:
2.1 В результате работы будут разработаны технология, методы проектирования, тестовые структуры блоков ИС и СФ блоки изделий высокотемпературной микроэлектроники с рабочим диапазон температур от -60 до 225 оС на структурах кремний на изоляторе

Краткая характеристика создаваемой/созданной научной (научно-технической, инновационной) продукции:
Разработка базового технологического маршрута изготовления высокотемпературной компонентной базы на КНИ структурах, методов и правил проектирования, тестовых структур и сложно функциональных (СФ) блоков, позволит создать технологическую платформу для организации в России производства изделий микроэлектроники для экстремальных режимов эксплуатации с рабочим диапазоном температур от -60 до 225 оС и переориентировать внутреннего потребителя на отечественного производителя

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
1. Основная область применения результатов:
- разработка и производство монолитных интегральных схем для экстремальных условий применения при повышенных температурах окружающей среды. Основными направлениями использования подобной электроники являются:
- энергетика и транспорт:
- газотурбинные двигатели (силовые установки самолетов и электроэнергетики),
- датчики используемые в жестких и высокотемпературных средах (химические сенсоры сгорания),
- автомобильные и авиационные двигатели,
- добыча и переработка полезных ископаемых:
- буровые установки газо-нефтедобычи и геотермальные исследования, нефтехимическая индустрия, мониторинг экологической обстановки, робототехника.
2. Разрабатываемая технология высокотемпературной микроэлектроники на КНИ МДП структурах с проектными нормами 0,18 мкм запланирована к внедрению в серийное производство индустриального партнера ОАО «НИИМЭ и Микрон», а с проектными нормами 0,5 мкм в производстве ОАО "ЗНТЦ".

Текущие результаты проекта:
1. Разработаны технологические маршруты и топологии макетов по трем вариантам высокотемпературной микроэлектроники:
1. Технологический маршрут и топология макета с проектной нормой 0,5 мкм и вольфрамовой металлизацией.
1.2 Технологический маршрут и топология макета с проектной нормой 0,18 мкм и медной металлизацией.
1.3 Технологический маршрут и топология макета МИМ конденсатора на основе high-k диэлектриков.