Регистрация / Вход
Прислать материал

Управляемый синтез мемристорных структур на основе наноразмерных композиций оксидов металлов путем осаждения атомных слоев

Аннотация скачать
Постер скачать
Ключевые слова:
мемристор, композиции окислов металлов, осаждение атомных слоев, эффект переключения сопротивления, энергонезависимая память, память на основе эффектов переключения сопротивления, структура металл-изолятор-металл

Цель проекта:
Разработка технологии атомно-слоевого осаждения наноструктурированных пленок оксидов металлов (Al, Ti, Hf, Ta, Nb), как базового метода создания структур металл/оксид/металл (мемристоров) и проведение их комплексных исследований при вариации технологических параметров, окружающей среды и конструктивных особенностей для оптимизации мемристоров как элементов энергонезависимой памяти

Основные планируемые результаты проекта:
- технология атомно-слоевого осаждения наноструктурированных слоев оксида алюминия (Al2O3) толщиной 30 - 300 нм;
- технология высокотемпературного отжига (Т ≤ 600°С) образцов в вакууме и в кислородосодержащей среде;
- лабораторные образцы многослойных структур металл/ диэлектрик (оксид)/ металл, облада-ющих мемристорным эффектом;
- лабораторные образцы структур металл/оксид/металл при вариации материала (Al, Ti, Hf) и толщины пленок оксида, материала и площади верхних электродов;
- физико-химическая модель мемристора на основе оксидов Al, Ti, Hf как базового элемента энергонезависимой памяти на основе эффектов переключения сопротивления, включая обонование механизма переключения и памяти, позволяющая проводить оптимизацию параметров мемристоров.

Краткая характеристика создаваемой/созданной научной (научно-технической, инновационной) продукции:
- заключение о возможностях оптимизации параметров мемристора (скорость переключение, энергопотребление, стабильность параметров, длительность хранения информации) и технологии его изготовления, как базового элемента памяти на основе эффектов переключения сопротивления;
- специальное аналитическое оборудования для электрофизических исследований – анализатор параметров полупроводниковых структур;
- протоколы рабочих семинаров по обсуждению полученных результатов с японской стороной.
- механизм эффекта резистивного переключения и модель мемристора, как базового элемента энергонезависимой памяти

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
электроника

Текущие результаты проекта:
писание технологии атомно-слоевого осаждения наноструктурированных слоев оксида алюминия;
- описание технологии высокотемпературного отжига;
- результаты физико-химических и электрофизических исследований тон-ких пленок оксида алюминия;
- акт об изготовлении лабораторных образцов;
- результаты электрофизических измерений лабораторных образцов;
- документы о приобретении оборудования;
- протокол рабочего семи-нара