Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц

Аннотация скачать
Постер скачать
Презентация скачать
Ключевые слова:

Цель проекта:
- Разработка методов проектирования схемных решений и технологий создания монолитных интегральных схем (МИС) на нитридных наногетероструктурах. - Разработка методов, научно-технических и технологических решений по созданию и производству МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц. - Разработка методов, научно-технических и технологических решений по создания кристаллов теплоотводящих подложек для МИС усилителей мощности.

Основные планируемые результаты проекта:
Главным результатом проекта ожидается изготовление экспериментальных образцов МИС УМ и МШУ на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц , которые позволят пополнить элементную базу СВЧ-электроники России и освоить необходимый малоиспользуемый СВЧ-диапазон.

Краткая характеристика создаваемой/созданной научной (научно-технической, инновационной) продукции:
В рамках данной НИР будут проводиться исследование и разработка технологических принципов создания монолитных интегральных схем (МИС) малошумящих усилителей (МШУ) и усилителей мощности (УМ) на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц.
Для проектирования подобных устройств требуются высокопроизводительные рабочие станции и современные САПР, позволяющие производить электромагнитный анализ многослойных структур, например ADS и EMPro компании Agilent Technologies, Microwave Office компании AWR и др.
Изготовление макетов и экспериментальных образцов предполагает наличие технологической линии, позволяющей изготавливать МИС на HEMT гетероструктурах для Х-диапазона частот.
Исследование полученных экспериментальных образцов потребует наличия современного измерительного оборудования для контроля электрических НЧ и СВЧ параметров. Измерение отдельных устройств из состава приемо-передающего модуля (усилителя, смесителя, ГУН) производится с помощью векторного анализатора.
В ходе выполнения данной работы возможно получение охраноспособных результатов, таких как: ноу-хау в части технологического маршрута, свидетельств о регистрации топологий интегральных схем.

Назначение и область применения, эффекты от внедрения результатов проекта:
Полученные в ходе работы результаты могут быть использованы ведущими отечественными предприятиями в области создания и разработки приборов СВЧ электроники и других электронных приборов, в том числе ФГУП «НПП «Исток», ОАО «НПО «Курганприбор», ОАО «НПО «Базальт», НПО «Дельта», НПП "Пульсар", ОАО "Российские космические системы", ОАО «НИИПП» а так же использованы предприятиями отрасли инфокоммуникаций для обеспечения потребностей инфраструктуры сетей беспроводной широкополосной передачи информации. Отечественная элементная база приобретет элементы для создания радиоэлектронных устройств мм-диапазона и технологию производства приемо-передающих модулей для сверхширокополосных систем связи и передачи информации в миллиметровом диапазоне частот.

Текущие результаты проекта:
- соисполнителем ООО "Новэлком" произведена оптимизация конструкции и технологии изготовления транзисторов для МИС УМ и МШУ Х-диапазона на основе анализа результатов построения расчетных шумовых и нелинейных моделей;
- проведены исследования и выбор оптимальных схемотехнических решений при разработке макетов МИС УМ и МШУ Х-диапазона на базе нитридных гетероструктур;
- разработаны программы и методики исследований тестовых элементов макетов МИС УМ и МШУ Х-диапазона на стойкость к основным факторам экстремальных условий эксплуатации;
- проведены исследования по повышению долговременной стабильности параметров тестовых элементов макетов МИС УМ и МШУ Х-диапазона, их стойкости к тепловым, механическим и электромагнитным перегрузкам;
- соисполнителем ИВС РАН выполнена оптимизация химического состава и технологии обработки диэлектрических покрытий на основе высокомолекулярных полимеров с целью повышения их долговременной стабильности и стойкости к тепловым и механическим перегрузкам;
- разработаны требования к проекту и элементам чистых комнат для лабораторного размещения технологического оборудования при отработке высокотвердых теплопроводящих подложек карбида кремния;
- выбрана базовая технология и реализация экспериментальной технологической модели системы производства деионизованной воды для обеспечения лабораторных технологических операций по изготовлению МИС УМ и МШУ;
- проведены исследования и оптимизация режимов резки нитридных гетероструктур на подложках SiC, разработка требований к параметрам процесса технологического комплекса по разделению нитридных гетероструктур на кристаллы.
За счет привлеченных внебюджетных средств была произведена закупка установки плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 PTSA ICP PLASMA ETCHER.