Регистрация / Вход
Прислать материал

14.613.21.0054

Аннотация скачать
Постер скачать
Общие сведения
Номер
14.613.21.0054
Тематическое направление
Индустрия наносистем
Исполнитель проекта
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт спектроскопии Российской академии наук
Название доклада
Электронная и структурная динамика материалов фотоники
Докладчик
Рябов Евгений Артурович
Тезисы доклада
Цели и задачи исследования
Основная задача проекта заключается в исследовании ряда новых материалов (графен, топологический изолятор Bi2Se3, LaCoO3 c помощью фемтосекундного излучения оптического и терагерцового излучения.
Актуальность и новизна исследования
Актуальность этих исследований связана с выявлением потенциальных возможностей применения этих материалов для создания на их основе нового поколения приборов фотоники, электроники и систем памяти. Большинство этих потенциальных применений основано на сверхбыстром отклике зарядов, спинов и ядер на воздействие светом, поэтом основой данного проекта является получение детального описание этого отклика и соответствующих релаксационных процессов.
Описание исследования

Для реализации  задач проекта планируется использовать самые современные экспериментальные методы, в том числе: сверхбыстрая терагерцовая спектроскопия, техника «накачка – зондирование» с фемтосекундным разрешением, сверхбыстрая спектроскопия рентгеновского поглощения, электронная дифракция с временным разрешением.

Результаты исследования

За истекший период (3 квартала) получены следующие основные результаты.

1. Выполнен аналитический обзор литературы по теме исследований.

2. Проведены патентные исследования по теме проекта.

3. Получены образцы графена на меди, покровном стекле, кварце, кремнии, графен на меди, покрытый полиметилметакрилатом, а также графен с электростатическим затвором. Проведена их оптическая диагностика.  С помощью оптической микроскопии определено качество поверхности образцов. Измерены спектры комбинационного рассеяния для определения количества слоев графена. Измерены спектры пропускания образцов графена на покровном стекле и кварце в ультрафиолетовом, видимом и ближнем ИК диапазоне. Получены образцы Bi2Se3 и проведена их оптическая диагностика. Для образцов Bi2Se3 определено качество полировки (60/40). Найдены спектры отражения в области 1,8 мкм – 200 нм, его максимальное значение для 600 – 500 нм составляет 60 – 70 %.

4. Собрана система регистрации нелинейных спектров отражения в терагерцовой области, проведено ее тестирование. Измерены основные параметры пикосекундных терагерцовых импульсов. Пиковая напряженность электрического поля достигает нескольких сотен кВ/см в сфокусированном пучке. Спектр импульсов имеет максимум около 1 ТГц и содержит частоты до 3 ТГц.

5.Выполнены теоретические исследования графена, помещённого в сильное магнитное поле. Изучены эффекты взаимодействия электронов на уровнях Ландау. Работа подготовлена к печати.

Практическая значимость исследования
Системы, которые мы предполагаем исследовать, являются чрезвычайно многообещающими материалами для новых приборов и устройств фотоники, оптоэлектроники, систем памяти и т.д. Поэтому технологические аспекты полученных результатов будут представлять несомненный практический интерес при разработке указанных выше устройств.