Регистрация / Вход
Прислать материал

14.576.21.0026

Аннотация скачать
Постер скачать
Общие сведения
Номер
14.576.21.0026
Тематическое направление
Индустрия наносистем
Исполнитель проекта
Акционерное общество "ПКК Миландр"
Название доклада
Разработка семейства высокочувствительных интеллектуальных нано- и микроэлектронных датчиков и микросхем на их основе, характеризующихся повышенной устойчивостью к радиационным и температурным воздействиям
Докладчик
Мордкович Виктор Наумович
Тезисы доклада
Цели и задачи исследования
Разработка теоретических основ создания нового поколения интеллектуальных высокочувствительных датчиков физических воздействий, с повышенными требованиями к воздействию внешних радиационных и температурных факторов, изготовленных по субмикронным технологиям, предназначенных для контрольно-измерительной аппаратуры космических аппаратов.
Разработка физических и конструктивно-технологических решений создания датчиков магнитного поля и температуры с повышенной радиационной и температурной стойкостью на основе двухзатворного тонкопленочного кремниевого полевого транзистора со встроенным обогащенным каналом, изготавливаемого по технологии «кремний на изоляторе» (КНИ).
Актуальность и новизна исследования
Проведение исследований обусловлено возрастающим запросом космической электроники к повышению надежности контрольно-измерительных устройств космических аппаратов к экстремальным внешним воздействиям, в частности, к радиационным и температурным факторам космического пространства.
Новизна предлагаемых по ПНИ решений обусловлена разработкой и экспериментальными исследованиями физических моделей высокотемпературного и радиационно-стойкого чувствительного элемента на основе двухзатворного тонкопленочного кремниевого полевого транзистора со встроенным обогащенным каналом, изготавливаемого по технологии КНИ и изготовлением экспериментальных образцов чувствительных элементов и датчиковых устройств на их основе.
Описание исследования

Методики измерения электрических характеристик разрабатываемых датчиков, а также методики проведения температурных и радиационных испытаний, использованные в настоящей работе, являются утвержденными для промышленного производства микроэлектронных приборов.

Результаты исследования

В рамках данного проекта были разработаны и исследованы чувствительный элемент датчика магнитного поля, чувствительный элемент датчика температуры, датчик магнитного поля с частотным выходом, датчик температуры с частотным выходом, магниточувствительная микросистема, температурочувствительная микросистема, датчик магнитного поля с повышенной радиационной стойкостью, микросистема стабилизации малых и микротоков, микросистема подавления влияния изменения температуры на характеристики датчика магнитного поля, многофункциональный чувствительный элемент для измерения магнитного поля и температуры и многофункциональный датчик на его основе. При этом характеристики перечисленных выше датчиков и микросистем полностью соответствуют техническому заданию. В то же время достигнутые значения некоторых характеристик существенно превысили требования технического задания (например, рабочая частота датчиков магнитного поля и температуры с частотным выходом в 10 раз превысила требования ТЗ). Интеллектуализация датчиков была достигнута в микросистемах стабилизации тока и подавления температуры окружающей среды, что существенно упростило электронную схему и конструкцию датчиков. Впервые в сенсорной технике разработан и изготовлен многофункциональный датчик с частотным выходом.

Перечисленные выше чувствительные элементы, датчики и микросистемы не имеют отечественных и зарубежных аналогов.

Практическая значимость исследования
Предполагается, что результаты работы будут использованы АО «Информационные Спутниковые Системы» имени академика М.Ф. Решетнева» для разработки нового поколения контрольно-измерительных сенсорных устройств космических летательных аппаратов. Кроме того, результаты работы могут быть использованы в устройствах автомобильной и авиационной электроники, в системах контроля работы атомных электростанций, нефтяных и газовых скважин, геофизической аппаратуре, контрольно-измерительных системах ЖКХ.