Особенности кинетической матрицы электрон-электронного рассеяния в системе уровней Ландау в структурах из квантовых ям

Изучены процессы электрон-электронного рассеяния в системе уровней Ландау в квантовых ямах на основе соединений А3B5. В такой системе основным механизмом рассеяния, определяющим кинетику носителей заряда является электрон-электронное рассеяние [1,2]. В работе рассмотрен ранее неизученный канал электрон-электронного рассеяния, в котором изначально электроны находятся в различных подзонах, и в результате рассеяния не покидают свои подзоны. Было показано, что  вероятность таких процессов рассеяния близка по величине вероятности внутриподзонного рассеяния электронов [2], и, соответственно, много больше вероятности межподзонного рассеяния [1]. Следовательно, этот канал рассеяния может играть важную роль в кинетике носителей заряда, и обязательно должен учитываться при ее описании.

Работа выполнена под руководством доцента кафедры Теоретической физик и квантовых технологий НИТУ«МИСиС», к.ф.-м.н. Теленкова М.П. Также автор выражает благодарность аспиранту ФИАН Агафонову В.В. за помощь в получении, обсуждении и представлении результатов. 

Список литературы.
[1]. M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, P.F. Kartsev, «Carrier kinetics and population inversion in Landau level system in cascade GaAs/AlGaAs quantum wells tructures», Optical and Quantum Electronics Vol. 46, Issue 6, 759-767 (2014).
[2] •M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, V. V. Agafonov, K. K. Nagaraja, «Mechanism of energy relaxation in the system of Landau levels in quantum wells», JETP Letters, Vol. 102, Issue 10, pp 678-682 (2015).