Регистрация / Вход
Прислать материал

Перспективы использования CdTe в приборах оптоэлектроники

ФИО
Корякина Сахайаана Иннокентьевна
Электронная почта
bf1f86cb7nanyka95@mail.ru
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
ФИО научного руководителя
к.ф.-м.н., доцент Кобелева С.П.
Академическая группа
ППЭ-12-1
Наименование тезиса
Перспективы использования CdTe в приборах оптоэлектроники
Тезис

CdTe благодаря свойствам и перспективам используются для изготовления высокоэффективных приборов оптоэлектроники, солнечных батарей и детекторов ионизирующего излучения. Необходимые для этих целей электрофизические и оптические свойства определяются отклонением от стехиометрии соединений, то есть наличием в них тех или иных типов собственных точечных дефектов (СТД). Поскольку СТД являются электрически активными (дают уровни мелких доноров и акцепторов), для получения высокоомного материала для фотоприемников и детекторов ионизирующих излучений требуется разработка технологии получения материала с минимально возможной концентрацией СТД. Монокристаллы CdTe выращивают в основном методом Бриджмена, что определяет большую концентрацию избыточного теллура в материале, однако для многих применений  можно использовать эпитаксиальные пленки, выращиваемые осаждением из паровой фазы. CdTe испаряется инконгруэнтно за исключением состава внутри области гомогенности, соответствующего минимальному равновесному общему давлению (Pmin), поэтому для получения минимального отклонения от стехиометрии при термическом испарении требуется использовать именно этот состав.

Цель работы: определение минимального контролируемого технологически отклонения от стехиометрии CdTe для получения высокоомного материала.

Задача: расчёт температурной зависимости отклонения от стехиометрии и концентраций дефектов CdTe состава (Pmin).

В работе проведен расчет состава Pmin исходя из модели, включающей электрически активные вакансии кадмия и теллура, межузельный и антиструктурный теллур и межузельный кадмий.

Показано, что концентрация СТД состава Pmin не превышает 1014 см-3 в интервале температур выращивания 600 - 900 С.

Научный руководитель - к.ф.-м.н., доцент Кобелева С.П.