Регистрация / Вход
Прислать материал

Определение параметра решетки тонких монокристаллических эпитаксиальных слоев Inx Ga(1-x) P на Ge подложке

ФИО
Наумова Анастасия Александровна
Электронная почта
9b052ban-92@bk.ru
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Физической химии
ФИО научного руководителя
к.ф.-м.н., начальник отдела АО «НПП «Квант», Жалнин Б.В.
Академическая группа
МФХ-14-1
Наименование тезиса
Определение параметра решетки тонких монокристаллических эпитаксиальных слоев Inx Ga(1-x) P на Ge подложке
Тезис

Современный трехкаскадный фотоэлектрический преобразователь (ФЭП) применяемый в составе солнечных батарей для энергообеспечения космических аппаратов представляет собой сложный планарный прибор. Генерирующая полупроводниковая структура такого ФЭП, создаваемая методом газофазовой эпитаксии из металлорганических соединений (МОСГФЭ), состоит из трёх десятков нано- и микроразмерных слоев формирующих каскады InGaP/InGaAs/Ge.

В рамках настоящей работы проведено исследование параметров решетки эпитаксиальных слоев соединений InxGa1-xP (х=0,41-0,52), методом двукристальной рентгеновской дифрактометрии. Методом МОСГФЭ выращены структуры модельных образцов на Ge подложке с ориентацией (001), получены кривые качания (рисунок 1). На рисунке показано смещение пика (004) относительно Ge на 148,4 угловых секунд в сторону больших углов 2θ. Рассогласование параметров решетки составляет -0,1%.

Анализ данных для серии модельных образцов с различными значениями х показал хорошее согласование параметров решетки структур InxGa1-xP с табличными значениями для этих соединений с заданным отношением компонентов третьей группы (Ga/In). По параметрам решетки рассчитаны составы выращенных эпитаксиальных структур. Показано, что соотношение мольных долей металлоорганических соединений, заданное в газовой фазе в процессе роста, сохраняется в эпитаксиальной фазе. Выявлено, что критерием оценки качества выращенной структуры наряду с рассогласованием дифракционных максимумов может служить уширение дифракционного пика (004) структуры InxGa1-xP.

рисунок к дням науки.TIF

 

Рисунок 1 – Кривые качания дифракционного пика (004), полученные на модельных образцах эпитаксиальных слоёв InxGa1-xP/Ge x=0.48

Научный руководитель - к.ф.-м.н., начальник отдела АО «НПП «Квант», Жалнин Б.В.