Регистрация / Вход
Прислать материал

Моделирование влияния поверхностных состояний на распределение электрического потенциала в чувствительной части детектора излучения на основе кремния

ФИО
Савчук Александр Александрович
Электронная почта
f700a95d87fe4hzxd@mail.ru
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
ФИО научного руководителя
Осипов Юрий Васильевич
Академическая группа
МПЭ-15-1
Наименование тезиса
Моделирование влияния поверхностных состояний на распределение электрического потенциала в чувствительной части детектора излучения на основе кремния
Тезис

В работе предложен метод моделирования влияния поверхностных состояний на распределение электрического потенциала в чувствительной части детектора излучения на основе кремния.

Современная элементная база электроники представляет собой объекты с микронными и нанометровыми характерными размерами. Значительное влияние на электрофизические параметры приборов при столь малых размерах вносит поверхность, создающая дополнительные зарядовые центры. Поэтому основной задачей настоящей работы являлось проведение оценки влияния поверхностных состояний на распределение электрического потенциала в чувствительной области детектора излучения. Для реализации указанной задачи решали уравнение Пуассона методом прогонки в среде C# Microsoft Visual Studio 2010 без и с учетом поверхностных состояний. Расчет поверхностного заряда проводили, используя экспериментальные данные, полученные в результате экспериментального исследования pin-структур производства «Сапфир».

В результате выполненной работы установлено, что наличие поверхностных состояний приводит к изменению характера распределения электрического потенциала на расстояниях до трети от общей глубины залегания p-n перехода по сравнению с потенциалом в приборе без учета поверхностных состояний. Кроме того, показано, что ход распределения потенциала в первом случае имеет более пологий характер, что, в свою очередь, указывает на уменьшение напряженности электрического поля. Этот факт, несомненно, скажется на скорости диффузии заряженных частиц и как следствие на времени срабатывания детектора.

Научный руководитель - профессор, к. ф.-м. н., Осипов Ю.В.