Регистрация / Вход
Прислать материал

Моделирование фотодиодной структуры на основе InSb

ФИО
Ермолаева Юлия Олеговна
Электронная почта
ec36a18e5b2743yulia565@mail.ru
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
ФИО научного руководителя
Научный руководитель - к.ф.-м.н.Диденко С.И.
Академическая группа
ППЭ-12-1
Наименование тезиса
Моделирование фотодиодной структуры на основе InSb
Тезис

Создание фоточувствительных элементов для различных диапазонов излучения, является одной из актуальных проблем микроэлектроники. Приборно-технологическое моделирование представляет собой один из эффективных методов решения этой задачи.

Фотодиод является приёмником оптического излучения, преобразует свет попавший на фоточувствительную область в электрический заряд за счет внутреннего фотоэффекта. Данный прибор входит в состав многих сложных оптоэлектронных устройств, и поэтому находит широкое применение.

В качестве основы фотодиодной структуры был взят антимонид индия.Это узкозонное полупроводниковое соединение типа А3В5, имеющее ширину запрещенной зоны 0,18 эВ. Приборы на этих соединениях обладают фоточувствительностью в ИК диапазоне от 3 до 5 мкм и являются привлекательными для использования в оптоэлектронных устройствах, таких как тепловизоры. Для изготовления приборов на антимониде индия наиболее часто применяются такие примеси, как бериллий, магний, сера и кремний.

В данной работе исследовалась фотодиодная структура на основе антимонида индия, который был легирован кремнием и бериллием для n-типа и р-типа соответственно. Было проведено математическое моделирование фотодиода, в результате были получены вольт-амперные и спектральные характеристики.