Моделирование фотодиодной структуры на основе InSb

Создание фоточувствительных элементов для различных диапазонов излучения, является одной из актуальных проблем микроэлектроники. Приборно-технологическое моделирование представляет собой один из эффективных методов решения этой задачи.

Фотодиод является приёмником оптического излучения, преобразует свет попавший на фоточувствительную область в электрический заряд за счет внутреннего фотоэффекта. Данный прибор входит в состав многих сложных оптоэлектронных устройств, и поэтому находит широкое применение.

В качестве основы фотодиодной структуры был взят антимонид индия.Это узкозонное полупроводниковое соединение типа А₃В₅, имеющее ширину запрещенной зоны 0,18 эВ. Приборы на этих соединениях обладают фоточувствительностью в ИК диапазоне от 3 до 5 мкм и являются привлекательными для использования в оптоэлектронных устройствах, таких как тепловизоры. Для изготовления приборов на антимониде индия наиболее часто применяются такие примеси, как бериллий, магний, сера и кремний.

В данной работе исследовалась фотодиодная структура на основе антимонида индия, который был легирован кремнием и бериллием для n-типа и р-типа соответственно. Было проведено математическое моделирование фотодиода, в результате были получены вольт-амперные и спектральные характеристики.