Регистрация / Вход
Прислать материал

Получение кремниевых p-i-n структур методом «прямой» хлоридной эпитаксии.

ФИО
Попов Айаал Вячеславович
Электронная почта
c3b7f011805b47ayaa_94@mail.ru
Номинация
Материаловедение
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Материаловедения полупроводников и диэлектриков
ФИО научного руководителя
к.ф-м.н., доц. Малинкович М.Д.
Академическая группа
ММП-15-1
Наименование тезиса
Получение кремниевых p-i-n структур методом «прямой» хлоридной эпитаксии.
Тезис

В настоящее время полупроводниковые p-i-n структуры находят широкое применение в конструкциях большинства полупроводниковых диодов. Наиболее часто p-i-n диоды применяются для управления уровнем и фазой СВЧ-сигналов, коммутации ВЧ- и СВЧ- мощности в линиях передач, для защиты радиотехнической аппаратуры от случайных СВЧ-импульсов, для стабилизации СВЧ-мощности, а также в аттенюаторах ВЧ-диапазона.

Структура типичного p-i-n диода выглядит следующим образом: между двумя сильно легированными слоями очень малого сопротивления n+ и р+ находится активная базовая i (intrinsic) область с высоким удельным сопротивлением (вплоть ρi от 200-4000 Ом∙см), с толщиной от (3-30) мкм.

Целью настоящей работы является исследование возможности получения высокоомного i-слоя методом «прямой» газофазной хлоридной эпитаксии, в зависимости от: времени отжига, объема подаваемых реагентов в реактор, мощности генератора во время процесса, времени травления и времени роста.

Исследования по наращиванию i-слоя проводились на подложках КЭМ 0.03 диаметром 40 мм и толщиной 250 мкм. Рост эпитаксиальной структуры осуществлялся на установке УНЭС-2ПВ. Необходимо было получить i-слой с параметрами: δ = (19-25) мкм и ρ>250 Ом∙см. Было установлено, что оптимальными параметрами для получения такого эпитаксиального слоя являются: время травления обезвоженным хлористым водородом при температуре 1160º С в течении 4 мин при расходе газа 100 л/ч и времени покрытия четыреххлористым кремнием в течении 25 мин при температуре 1160º С с расходом реагента 140 л/ч. 

Научный руководитель - к.ф-м.н., доц. Малинкович М.Д.