Регистрация / Вход
Прислать материал

Кремниевый фотодиод со слаболегированной приповерхностной областью

ФИО
Попова Инна Эдуардовна
Электронная почта
e16b88innapopova1994@mail.ru
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
ФИО научного руководителя
доц., к.т.н. Леготин С.А.
Академическая группа
ППЭ-12-2
Наименование тезиса
Кремниевый фотодиод со слаболегированной приповерхностной областью
Тезис

В современной оптоэлектронике для достижения некоторых целей требуются фотоприемники с хорошей чувствительностью в довольно широком спектральном диапазоне. Одним из таких приборов является фотодиод на основе кремния. Кремниевый фотодиод представляет собой полупроводниковый прибор, генерирующий ток или напряжение, когда его p-n переход находится под освящением.

Когда p-n переход фотодиода освещен, в базе происходит генерация свободных носителей заряда при воздействии квантов света, которые направляются к границе p-n-перехода. Ширину базы модулируют таким образом, чтобы большая часть носителей не успевала рекомбинировать до перехода в область с другим типом проводимости. Немаловажным является то, какую область мы освещаем - базу или эмиттер. При освещении через эмиттер его делают прозрачным, что позволяет избавиться от ряда проблем, в частности от «длиной» базы.

В работе разработана конструкция фотоприемника кремниевого фотодиоды (рис. 1) и проведено его экспериментальное исследование. Результаты экспериментального исследования приведены в таблице 1.

 

Рис. 1 – Кремниевый фотодиод со слаболегированной приповерхностной областью

 

Таблица 1 - Экспериментальные результаты

Наименование параметра, единица измерения

Значение

Рабочая длина волны, в диапазоне, мкм

0,4-1,1

Геометрический размер площадки, мм2

1,5 на 1,5

Темновой ток, нА/мм2

30-40

Прямое падение напряжение при токе 10 мА, В

1,2

Токовая чувствительность, мА/лм

30 – 50

 

1. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Юрчук С.Ю., Астахов В.П., Ельников Д.С., Диденко С.И., Рабинович О.И., Кузьмина К.А., ВЛИЯНИЕ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ НА СПЕКТРАЛЬНУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ PIN-СТРУКТУР ФОТОПРИЕМНИКОВ, В сборнике: Междисциплинарные исследования в области математического моделирования и информатики Материалы 5-й научно-практической internet-конференции. Ответственный редактор Ю.С. Нагорнов . Ульяновск, 2015. С. 182-187.

 

Работа выполнена под руководством доц., к.т.н. Леготина С.А.