Разработка кремниевого фототранзистора для оптико-электронной аппаратуры

 

В настоящие время кремниевые фототранзисторы предназначены для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения для оптико-электронной аппаратуры, вычислительной и измерительной техники, программно-управляемого оборудования и приборов, работающих в диапазоне длин волн от 0,5 до 1,12 мкм [1,2].

В работе создан фототранзистор с применением ионной имплантации. В качестве исходной пластины выбран кремний, легированные фосфором (n–типа проводимости) ориентацией (111), диаметром 76 мм с удельным сопротивлением 7 Ом·см.

В работе создан фототранзистор (рисунок 1) со следующими техническими параметрами:

− размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм;

− область спектральной чувствительности: 0,5...1,12 мкм;

− длина волны максимума спектрального распределения чувствительности: 0,8...0,9 мкм;

− номинальное рабочее напряжение: 5 В;

− темновой ток: не более 3 мкА;

− токовая чувствительность: не менее 0,4 мкА/лк.

                                                                            

                          Рисунок 1 – Конструкция кремниевого фототранзистора для оптико-электронной аппаратуры

 

1. Murashev V.N., Legotin S.A., El'nikov D.S., Didenko S.I., Rabinovich O.I., SILICON PHOTODETECTORS MATRIXCOORDINATE BIPOLAR FUNCTIONALLY INTEGRATED STRUCTURES, Журнал нано- и электронной физики. 2015. Т. 7. № 1. С. 01009.

2. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Ельников Д.С., Кузьмина К.А., БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ПРИЁМНИК ОПТИЧЕСКИХ ИЗЛУЧЕНИЙ, Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2015. № 2-3 (236-237). С. 33-37.

 

Научный руководитель – к.т.н., доц. Леготин С.А.