Высокоточный координатно-чувствительный сенсор температуры
Сенсоры, регистрируя различные физические величины, подобно органам чувств, способны передавать информацию об объекте или среде.
В последние годы все сильнее возрастает интерес к повышению точности сенсоров, что позволило бы сильнее контролировать процессы в любой области [1, 2].
В работе предложена конструкция сенсора на основе функционально интегрированных структур, которая включает в себя последовательно расположенные ячейки «вертикальных прямоугольных» n-р-n биполярных транзисторов с «С» – конденсатором и с поликремниевыми резисторами номиналом Rк = 3 кОм в коллекторе и Rб = 100 кОм в базе. Конструкция сенсора представлена на рисунке 1.
Данный сенсор отличается низким потреблением тока, повышенным интервалом температур, высокой точностью измерения и возможностью измерения температурного поля.
Рисунок 1 – Схематичное изображение функционально интегрированной структуры
1. Tapero K., Murashev V., Ivshin P., Legotin S., Krasnov A., Elnikov D., Suhir E., INJECTION-COUPLED DEVICES (ICDS): OPERATION PRINCIPLE, APPLICATIONS, DESIGN-FOR-RELIABILITY, В сборнике: IEEE Aerospace Conference Proceedings Сер. "2014 IEEE Aerospace Conference" 2014. С. 6836248.
2. Legotin S.A., Ivshin P.A., Korol'chenko A.S., Murashev V.N., A HIGH PRECISION SILICON TEMPERATURE SENSOR, Instruments and Experimental Techniques. 2010. № 53. С. 788.
Научный руководитель – к.т.н., доц. Леготин С.А.