Регистрация / Вход
Прислать материал

Влияние отжига и внешних напряжений на магнитострикцию насыщения аморфных микропроводов на основе Fe и Co

ФИО
Семенькова Виктория Александровна
Электронная почта
5d4c7760sudarchikova.viktoria@yandex.ru
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Физической химии
ФИО научного руководителя
к.ф.-м.н. Чурюканова Маргарита Николаевна
Академическая группа
МФХ-14-1
Наименование тезиса
Влияние отжига и внешних напряжений на магнитострикцию насыщения аморфных микропроводов на основе Fe и Co
Тезис

Целью данной работы является изучение влияния термообработки на величину магнитострикции насыщения аморфных микропроводов на основе Fe и Co, а также изучение влияния приложенных напряжений на магнитострикцию насыщения аморфных микропроводов.

Для обеспечения прогресса в технологиях магнитных материалов требуются материалы с улучшенными магнитными и магнитотранспортными свойствами, на которые в значительной степени влияет величина магнитострикции насыщения. Величиной магнитострикции можно управлять, используя в качестве факторов влияния химический состав, геометрические параметры аморфного сплава, приложенные напряжения и различные отжиги. Кроме того, тенденция миниатюризации современных магнитных датчиков и приборов стимулирует развитие магнитных материалов с уменьшенной размерностью, в частности микропроводов.

Для исследования были взяты аморфные микропровода в стеклянной оболочке на основе Fe и Co, полученные методом Улитовского-Тейлора. С помощью метода дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) определены температура Кюри и температура начала кристаллизации, что позволило подобрать температуры отжига образцов. Методом малоуглового вращения вектора намагниченности была измерена константа магнитострикции насыщения как в исходном состоянии, так и после различных режимов термообработки.

Показано, что с ростом времени отжига значение константы магнитострикции насыщения меняется по кривой с максимумом, а изменение температуры отжига сдвигает положение максимума (см. рисунок 1).

Рисунок1 - Зависимость магнитострикции от длительности отжига для микропровода на основе Co

Исследовано влияние приложенных внешних напряжений на магнитострикцию насыщения аморфных микропроводов.