Выращивание монокристаллов Bi12GeO20 методом Чохральского. Влияние условий роста на качество кристаллов.

В настоящее время значительная часть радиоэлектронных приборов конструируется на основе монокристаллических элементов с определённой совокупностью физических свойств. Многообразием уникальных физических и химических свойств обладают соединения со структурой силленита. К подобным соединениям относится германат висмута Bi₁₂GeO₂₀, нашедший применение в оптоэлектронике, пьезотехнике, голографии, акустооптике, радиоэлектронике. Пространственно-временные модуляторы света, линии задержки телевизионных сигналов, фильтры промежуточной частоты для цветного телевидения, детекторы γ- излучения – вот далеко не полный перечень областей применения и приборов, действующих на основе германата висмута.

В данной работе рассматривается  методика роста Bi₁₂GeO₂₀ методом Чохральского, а также проведена оценка выращенных кристаллов по их оптическим и электромеханическим характеристикам.  Приведены результаты ростовых экспериментов, а также результаты измерений оптических и пьезоэлектрических свойств выращенных кристаллов Bi₁₂GeO₂₀. Выявлены и измерены вариации упругих свойств, на основе которых проведена оценка стехиометрии выращенных кристаллов, и вариации стехиометрии в процессе роста исследуемых кристаллов.

Работа выполнена в лаборатории акустооптических и пьезоэлектрических кристаллов Института кристаллографии РАН под руководством ведущего научного сотрудника кандидата химических наук Ломонова Владимира Алексеевича.

Научный руководитель – к.т.н. Антипов Владимир Валентинович