Регистрация / Вход
Прислать материал

Получение микронных встречно-штыревых структур на ПАВ-системах

Фамилия
Шнягина
Имя
Елена
Отчество
Анатольевна
Номинация
Материаловедение
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Материаловедения полупроводников и диэлектриков
Академическая группа
ММТМ-16-4-4
Научный руководитель
к.ф.-м.н., доцент Подгорный Д.А.
Название тезиса
Получение микронных встречно-штыревых структур на ПАВ-системах
Тезис

В настоящее время акустоэлектроника является одним из активно развивающихся направлений функциональной электроники. Наибольшее распространение для обработки сигналов имеют поверхностные акустические волны (ПАВ). Особенностью ПАВ-устройств является совмещение функций преобразования электрической энергии в акустическую (и обратно) и различных изменений ПАВ в одном конструктивном элементе – подложке.

Одним из основных элементов устройств на ПАВ являются встречно-штыревые преобразователи.

Были сформированы системы встречно-штыревых преобразователей микронных размеров на подложке ниобата лития методом лазерной безмасковой литографии для последующего нанесения тонких пленок ITO и графена. Для этого были рассчитаны параметры встречно-штыревой структуры на ПАВ-системах в соответствии с характеристиками приборов, а так же определены основные параметры технологического процесса фотолитографии для получения пленок ITO и дальнейшего переноса выращенного графена.

На основании проведенного анализа характеристик приборов для ПАВ-системы на подложке ниобата лития с учетом ограничений технологического процесса фотолитографии предложена модель встречно-штыревого преобразователя с размерами элементов 5 мкм. Такая структура позволит получить преобразователь с повышенными характеристиками и стабильными устойчивыми свойствами в широком диапазоне температур.