Регистрация / Вход
Прислать материал

Оптимизация гетероструктур светоизлучающих диодов на основе фосфидов

Фамилия
Мельник
Имя
Максим
Отчество
Сергеевич
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Технологии материалов электроники
Академическая группа
ММК-15-1
Научный руководитель
к.ф-м.н. Рабинович Олег Игоревич
Название тезиса
Оптимизация гетероструктур светоизлучающих диодов на основе фосфидов
Тезис

На основе компьютерного моделирования было исследовано влияния температуры на основные характеристики светоизлучающих диодов, с помощью программы SimWindows, которая включает в себя четыре механизма рекомбинации и генерации, такие, как излучательная рекомбинация зона-зона, рекомбинация по модели Шокли-Холла-Рида, внешняя оптическая генерация и стимулированное излучение.

Определялись оптимальные конструкции МКНГ на основе количества и резервов КЯ и барьеров. Предполагалось, что КЯ имеют фиксированное содержание атомов Al: X = 0,2 для СИД красного цвета свечения.

Для моделирования МКНГ для СИД красного свечения были выбраны файлы, которые описывают приборы для данного цвета свечения, количество КЯ принималось равным 3, ширина барьеров 10 нм, содержание Al в КЯ было принято 0,2.
В файлах использовалась статистика Ферми – Дирака, учитывалась неполная ионизация легирующих примесей.

Были получены вольт – амперные характеристики (рисунок 1) и зависимости квантового выхода от плотности тока для светоизлучающих диодов красного цвета свечения.

Рисунок 1 - Вольт-амперные характеристики AlInGaP гетероструктуры