Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка гетероструктуры для полевых транзисторов на основе AlGaN

Фамилия
Андреев
Имя
Роман
Отчество
Юрьевич
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Технологии материалов электроники
Академическая группа
ММК-15-1
Научный руководитель
к.т.н., доцент Курочка С.П.
Название тезиса
Разработка гетероструктуры для полевых транзисторов на основе AlGaN
Тезис

В настоящее время внимание разработчиков полевых транзисторов высокой мощности концентрируется на использовании гетероструктур AlN/GaN, которые формируются на подложках из сапфира. Это связано с электрофизическими свойствами GaN: высокой подвижностью и высокой скоростью насыщения электронов, высокими пробивными полями, большой шириной запрещённой зоны и хорошей теплопроводностью. Сильные спонтанная и пьезоэлектрическая поляризации, присутствующие в этих материалах, способствуют образованию двумерного электронного газа вблизи гетерограницы AlGaN/GaN без введения дополнительной легирующей примеси. Сочетание высокого пробивного напряжения, большой скорости электронов и высокой плотности двумерного электронного газа в канале полевого транзистора, а также хорошей теплопроводности материала обеспечивает работу устройств в сверхвысокочастотной (СВЧ) области при больших напряжениях и высоких температурах, что даёт значительное преимущество по сравнению с другими материалами на основе соединений AIIIBV и делает GaN ключевым материалом для СВЧ электроники.

Основной целью научной работы является разработка многослойной гетероструктуры на основе AlGaN с заданными характеристиками.

Установлено, что наиболее оптимальной является транзисторная структура с двумя гетеропереходами, а методом получения слоев - молекулярно-пучковая эпитаксия.

 Определена модель для расчета роста пленок. Рассчитаны основные параметры гетероструктуры.