Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследования процессов роста монокристаллов Bi12GeO20, выращенных по методу Чохральского, по рентгенодифракционным характеристикам естественных боковых граней

Фамилия
Мололкин
Имя
Анатолий
Отчество
Анатольевич
Номинация
Материаловедение
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Материаловедения полупроводников и диэлектриков
Академическая группа
ММП-15-2
Научный руководитель
д.ф.-м.н.,с.н.с Писаревский Ю.В.; к.т.н., вед. прог. Антипов В.В
Название тезиса
Исследования процессов роста монокристаллов Bi12GeO20, выращенных по методу Чохральского, по рентгенодифракционным характеристикам естественных боковых граней
Тезис

Кристаллы германата висмута (германосилленита, Bi12GeO20) вызывает большой интерес благодаря уникальной комбинации пьезоэлектрических, электрооптических и магнитооптических свойств, что в сочетании с фотопроводимостью выдвигает его в число наиболее перспективных материалов для создания электро- и магнито-оптических модуляторов лазерного излучения, запоминающих устройств типа ПРОМ и т.д. Германосилленит используют также для создания ультразвуковых линий задержки с большим значением времени задержки и для фильтров со сложной топологией.

Технология роста данных монокристаллов позволяет также проводить уникальные исследования естественных боковых граней с помощью рентгенодифракционных методов. Это дает возможность получить первичную информацию о качестве полученного в ходе роста кристалла сразу после окончания ростового процесса, не прибегая к дополнительной механохимической обработке  кристаллической були. Важно также отметить, что рентгенодифракционные методы являются неразрушающими и высокоточными, а значит проведение этих исследований, с одной стороны, не вносит никаких изменений в структуры получаемых кристаллических заготовок, а с другой – значительно сокращает время, необходимое для проведения первичной оценки их качества, а также позволяет более тщательно подбирать параметры синтеза.

В результате проведения исследований поверхности естественной грани (001) образца Bi12GeO20, представленной на рисунке 1, был получен ряд кривых дифракционного отражения. Все полученные кривые качания имеют гладкий вид и хорошо аппроксимируются распределением Лоренца. Итоговое продольное распределение полуширины кривой дифракционного отражения поверхности образца, полученное с шагом 2 мм, приведено на рисунке 2 . Анализируя получившиеся данные, можно качественно оценивать влияние технологических параметров роста на структурное совершенство выращенных кристаллов.

 

                                                                            

                                              Рисунок 1 - Внешний вид грани (001) монокристалла Bi12GeO20

                                                              

                                Рисунок 2 - Продольное распределение полуширины КДО рефлекса (400)  вдоль грани (100)