Регистрация / Вход
Прислать материал

Изучение электрических параметров InGaP светоизлучающих диодов

Фамилия
Сергеев
Имя
Кирилл
Отчество
Александрович
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Технологии материалов электроники
Академическая группа
МЭН-16-1-1
Научный руководитель
к.ф-м.н., доц. Рабинович О.И.
Название тезиса
Изучение электрических параметров InGaP светоизлучающих диодов
Тезис

Проведены измерения фотометрических и электрических характеристик образцов InGaP светодиодов красного цвета свечения.

Исследованы спектры люминесценции светодиода InGaP красного цвета свечения. Ширина спектров в половине максимума, как видно из рисунка 1, довольно велика – 30 нм. Показано, что широкий спектр люминесценции InGaP – структур является суперпозицией более острых пиков излучения, имеющих различные энергии максимумов, что объясняется флуктуациями содержания индия в слое InxGa1-xP.

 

Рисунок 1 – Спектры люминесценции красного кристалла GaInP в импульсном режиме тока

 

Исследованы зависимости максимальной длины волны излучения красных InGaP – светодиодов от тока через p-n переход. Показано, что смещение максимальной длины волны излучения от величины тока определяется двумя эффектами: разогревом p-n перехода с ростом прямого тока и соответствующим уменьшением ширины запрещенной зоны и смещением максимумов распределения концентраций неравновесных электронов и дырок с ростом уровня инжекции.