Регистрация / Вход
Прислать материал

Моделирование комплементарного биполярного СВЧ транзистора на КНИ с Uкэ>12 В

Фамилия
Петрова
Имя
Мария
Отчество
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
Академическая группа
МЭН-16-2-2
Научный руководитель
к.ф.-м.н. Диденко С.И.
Название тезиса
Моделирование комплементарного биполярного СВЧ транзистора на КНИ с Uкэ>12 В
Тезис

Быстродействующие широкополосные аналоговые ИМС (операционные усилители, логарифмические усилители, буферные усилители, аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи) на основе комплементарной биполярной технологии находят широкое применение в современной аппаратуре.

Быстродействие таких схем напрямую связано с граничной частотой используемых транзисторов. Наибольшие сложности представляет создание pnp-транзисторов, сопоставимых по значению граничной частоты с npn-транзисторами.

Анализ развития полупроводниковых технологий показывает, что в перспективе на структурах "кремний на изоляторе" удастся получать приборы (микросхемы) с улучшенными характеристиками по сравнению с аналогичными приборами, изготовленными на обычных кремниевых пластинах. Технологические процессы изготовления ИС, адаптированные для таких структур, могут стать наиболее подходящей основой для производства ИМС с наивысшими техническими характеристиками.

Для эффективной разработки и оптимизации комплементарных биполярных транзисторов широко применяется приборно-технологическое моделирование. Основными критериями при совершенствовании технологии данных приборов является увеличение значений таких характеристик как граничная частота и пробивное напряжение Uкэ. В данной работе было проведено моделирование технологического процесса изготовления комплементарного биполярного pnp-транзистора на КНИ в пакете программ TCad, а также были рассмотрены основные характеристики реальных приборов с целью разработки рекомендаций по оптимизации комплементарной биполярной технологии.