Регистрация / Вход
Прислать материал

Влияние магнитострикции на процессы намагничивания в аморфных микропроводах

Фамилия
Беляйкина
Имя
Надежда
Отчество
Геннадьевна
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Технологии материалов электроники
Академическая группа
МКТ-13-1
Научный руководитель
проф. Панина Л. В.
Название тезиса
Влияние магнитострикции на процессы намагничивания в аморфных микропроводах
Тезис

 В последнее время предпринимаются значительные усилия в изучении изменения структурных и магнитных свойств аморфных микропроводов при воздействии внешних факторов, таких как магнитное поле, механические напряжения и температура. Для определенных составов аморфного сплава можно добиться значительного изменения коэффициента магнитострикции и магнитной анизотропии в присутствии внешних механических напряжений, что может использоваться для разработки различных сенсоров нагрузки и напряжений.  В данной работе исследуется влияние растягивающих напряжений на процессы намагничивания в микропроводах в стеклянной оболочке, состава Co71Fe5B11Si10Cr3 с маленьким значением магнитострикции (~10-8). Под воздействием внешних напряжений происходит изменение знака магнитострикции, что приводит к переориентации легкой оси анизотропии (с аксиального на циркулярное направление).  В результате наблюдается резкое изменение характера кривой намагничивания, как показано на рисунке.  В работе также продемонстрировано, что это приводит к высокой чувствительности амплитуд высших гармоник к механическим напряжениям. Следовательно, данные провода можно использовать в качестве беспроводных датчиков с дистанционным опросом, которые устанавливаются на поверхности изделий или внутри материалов. Экспериментальные данные по намагниченности объяснены в рамках магнитострикционной модели анизотропии. 


                                                         

Рис. 1. Влияние растягивающих напряжений на продольную петлю гистерезиса аморфного Co71Fe5B11Si10Cr3 микропровода в стеклянной оболочке