Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка и измерение на соответствие параметров четырехзондовой головки международным стандартам ASTM

Фамилия
Апросимов
Имя
Николай
Отчество
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
Академическая группа
ППЭ-13-1
Научный руководитель
канд. ф.-м.н., доцент Кобелева Светлана Петровна
Название тезиса
Разработка и измерение на соответствие параметров четырехзондовой головки международным стандартам ASTM
Тезис

Одним из главных электрофизических параметров, контролируемыми при выращивании полупроводниковых слитков являются удельное электрическое сопротивление (ρ). Данный параметр определяет марку материала. Измерение этого параметра является необходимым элементом технологического и выходного контроля качества пластин и слитков.

Цель данной работы разработка новой четырехзондовой головки с использованием современных технических методов и анализ параметров новой головки на соответствие международному стандарту SEMI MF84-0307(1).

Для разработки новой головки эталоном была выбрана четырехзондовая головка C2080. Стандартное межзондовое расстояние S=1,3 мм. Для производства головки был использован 3D принтер Farmlabs Form 2 с точностью 0,25 мкм и материал: фотополимерная смола. Для создания коллинеарных отверстий использована установка для лазерной резки.

Образец использованный для измерений: полированная пластина кремния. Было сделана серия из 10 измерений на поверхности образца и под микроскопом проведены измерения расстояний между следами (3). По полученным данным были проведены расчеты (2). Посчитаны средние значения для каждого из трех разделений, стандартные отклонение выборки. Среднее расстояние между зондами равно:

S=1.32 мм

Поправочный коэффициент:

\(F_{sp}=1.0038\)

Разница между расстояниями между разделений.

\(\frac{S_1}{S_3}=2\)%

Полученные результаты показывают, что разработанная нами головка соответствует международному стандарту SEMI MF84-0307(1).

 

           Список использованной литературы

 

  1. ASTM F. Test Methods for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe. Annual Book of ASTM Standard. V.10.05.
  2. ASTM F-43. Test Methods for Resistivity of Semiconductor Materials. Annual Book of ASTM Standard. V.10.05
  3. Кобелева С.П. Статья: Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния. . – М.: Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 2007 - 60-67 с.