Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии напыления пленок материалов экстремальной электроники

Фамилия
Базарбеков
Имя
Ануар
Отчество
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Технологии материалов электроники
Академическая группа
ММК-15-1
Научный руководитель
д. к. т. н., доц. Курочка С.П.
Название тезиса
Разработка технологии напыления пленок материалов экстремальной электроники
Тезис

Развитие электронной и микросистемной техники диктует необходимость расширения круга материалов применяемых для создания микроэлектронных приборов и устройств. Это вызвано стремлением к расширению областей применения этих приборов, возрастанием требований к их надежности, стабильности параметров и устойчивости к внешним неблагоприятным воздействиям. Интерес к композиции «карбид кремния - нитрид алюминия» определяется возможностью образования твердых растворов с широкой областью гомогенности, благодаря кристаллохимической совместимости SiC и AlN. Близость параметров решеток и температурных коэффициентов расширения SiC и AlN позволяет получать непрерывный ряд твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x с шириной запрещенной зоны от 3,0 до 6,2 эВ.

Целью работы является оптимизация процесса магнетронного напыления слоев (SiC)1-х(AlN)х.

Область применения  подобных  пленок:  датчики  пламени  и  нагрева, приборы для измерения биодоз УФ (мониторы загара), диагностики плазмы, детектирования следов от двигателей ракет.

В ходе эксперимента были получены гетероструктуры на основе твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x на подложках 6H-SiC и Al2O3 магнетронным распылением составных мишеней в атмосфере аргона при температурах   500-1200 оС. Перед процессом осаждения осуществляется ионная очистка и полировка поверхности подложек.

После проведенной работы были проведены рентгенодифракционные исследования структуры полученных пленок (SiC)1-x(AlN)x толщиной 2-3 мкм. Результаты показали, что пленки, полученные при температуре подложки 500 °С, имеют аморфную структуру. При температуре подложки 1000 °С формируются монокристаллические пленки с кристаллической структурой вюрцита (2Н).