Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование параметров при напылении контактных слоев Ni с использованием ионного ассистирования.

Фамилия
Костромин
Имя
Дмитрий
Отчество
Александрович
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
Академическая группа
МПЭ-15-1
Научный руководитель
к.ф-м.н., с.н.с.,доц. Таперо К.И.
Название тезиса
Исследование параметров при напылении контактных слоев Ni с использованием ионного ассистирования.
Тезис

Наиболее эффективным средством для управления структурой и свойствами и получения высокого качества тонких плёнок является бомбардировка растущей плёнки ионами, которая позволяет регулировать зародышеобразование, химический состав, морфологию поверхности, микроструктуру и механические напряжения. С этой целью разработаны десятки конструкций ионных источников и магнетронных распылителей, в которых часть плазмы разряда оттягивается к подложке.

Влияние ионной бомбардировки на растущую плёнку никеля исследовалось с  одинаковой скоростью напыления 4 Å/с при толщине плёнки 2000 Å. При толщинах до 500 Å возможно появление зависимости свойств плёнки от толщины слоя. Плёнки выращивались без ионного ассистирования и с работающим ионным источником.

Оптические измерения коэффициентов отражения, пропускания, эллипсометрических параметров широко применяются для определения характеристик тонких плёнок. Эти методы также применяются для контроля технологических процессов непосредственно в напылительной установке. На величину измеренных параметров влияют изменения электронной структуры материала плёнки, параметры кристаллической структуры, шероховатость поверхности, негомогенность, наличие побочных тонких слоёв, например, окисных плёнок или адсорбированной влаги. Это порой затрудняет и делает неоднозначной интерпретацию полученных результатов.

Выводы, вытекающие из оптических измерений, следующие: ионная бомбардировка плёнки никеля в процессе роста приводит к трём явлениям:

- изменение электронных свойств вещества (изменение плазменной частоты колебаний электронов) вследствие сжатия кристаллической решётки

- изменению плотности упаковки кристаллических блоков

- изменению шероховатости поверхности

Все три явления протекают одновременно, так как ни одним из перечисленных явлений по отдельности нельзя описать наблюдаемые величины оптических параметров.