Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование комплементарных биполярных транзисторов с пробивным напряжением Uкэ>30В

Фамилия
Ермолаева
Имя
Юлия
Отчество
Олеговна
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
Академическая группа
МЭН-16-2-2
Научный руководитель
к.ф.-м.н. Диденко С.И.
Название тезиса
Исследование комплементарных биполярных транзисторов с пробивным напряжением Uкэ>30В
Тезис

 

На сегодняшний день одним из важнейших направлений развития микроэлектроники является разработка и оптимизация комплементарных биполярных транзисторов. В данной работе исследовалась партия транзисторов, изготовленная по планарной технологии. Данная технология позволяет в едином технологическом процессе изготавливать большое число интегральных схем на одной пластине, что обеспечивает хорошую воспроизводимость параметров приборов и высокую производительность при достаточно низкой цене продукции.

С каждым годом технологии производства становятся все более сложными, поэтому разработка полупроводниковых структур все больше и больше полагается на численное моделирование. Это позволяет сократить расходы на создание полупроводниковых приборов и ускорить процесс их разработки. Кроме того, при оптимизации структур нельзя ограничиться экспериментальными исследованиями. Достойной альтернативой экспериментальным методам исследования являются методы численного моделирования. TCAD-системы позволяют проводить многомерное моделирование полупроводниковых структур, используя в качестве начальных данных описание технологического маршрута их изготовления.

В данной работе исследовались pnp- и npn-транзисторы, которые были легированы бором для создания p-области, фосфором для создания n-области и сурьмой для создания n+-области. Были измерены электрические параметры транзисторов, такие как коэффициент усиления, пробивные  напряжение Uкэ, Uкб, Uэб. В дальнейшем планируется создать модель транзисторов в среде ТСAD c электрическими параметрами приближенными к измеренным на реальных структурах с целью получения оптимальных частотных характеристик для последующей оптимизации технологического маршрута.