Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование деградации биполярных транзисторов с изолированным затвором при воздействии проникающей радиации

Фамилия
Фазилов
Имя
Давид
Отчество
Эльгарович
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
Академическая группа
МЭН-16-2-2
Научный руководитель
к.т.н., доцент Коновалов М.П.
Название тезиса
Исследование деградации биполярных транзисторов с изолированным затвором при воздействии проникающей радиации
Тезис

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) являются наиболее перспективным прибором на рынке силовой электроники. Несмотря на свои положительные качества, БТИЗ имеют свои недостатки, одним из которых является наличие, так называемого, “хвостового” тока при переключении прибора, что значительно ухудшает частотные характеристики.

Для улучшения параметров и снижения “хвостового” тока применяют диффузию золота или платины, что приводит к созданию дополнительных рекомбинационных центров, в свою очередь уменьшающих время жизни носителей заряда в базе. 

В настоящее время общепринята другая технология, помогающая оптимизировать структуры под конкретные нужды – радиационная обработка. В качестве проникающей радиации используют высокоэнергетические электроны, протоны, гамма-кванты.

В данной работе проводится исследование деградации отечественных и зарубежных БТИЗ при воздействии быстрых электронов (интегральные потоки до 1016 см-2) и гамма-квантов (дозы до 870 крад). Результатами эксперимента являются изменения следующих основных параметров БТИЗ при воздействии проникающей радиации : пороговое напряжение затвор-эмиттер, напряжение насыщения коллектор-эмиттер, напряжение пробоя коллектор-эмиттер, время переключения.