Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование перспективных барьеров на основе оксида магния (MgO) для создания магнето туннельного перехода в передовых типах памяти с произвольным доступом.

Фамилия
Садовников
Имя
Илья
Отчество
Алексеевич
Номинация
Материаловедение
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Физического материаловедения
Академическая группа
ММТМ-16-8-8
Научный руководитель
к. т.н., доц. Ушакова О.А.; старший инж. тех. Смирнов Е.А.
Название тезиса
Исследование перспективных барьеров на основе оксида магния (MgO) для создания магнето туннельного перехода в передовых типах памяти с произвольным доступом.
Тезис

Технология магниторезистивной памяти MRAM, то есть запоминающих устройств, информация в которых хранится в виде локальных векторов намагниченности, разрабатывается с 1990-х годов. SST-MRAM (Spin Transfer Torque Random Access Memory) - наиболее прогрессивный вид магнитной памяти, запись и считывание в котором происходит за счет эффекта переноса спина. Одной из основных характеристик ячейки STT-MRAM является ее энергетический барьер, разделяющий состояния, соответствующие логическим «0» и «1». Этот параметр определяет время хранения логического состояния. Для дизайна ячейки необходимо знать зависимость этого барьера от параметров материала.

В настоящей работе проведено исследование потенциального материала, оксида магния, применяемого в качестве барьерного слоя для элементарной ячейки магниторезистивной памяти. В ходе работы были определены: оптимальная толщина барьерного слоя, оптимальное направление текстуры этого слоя, а также была разработана методика напыления данного слоя. Полученные результаты характеризуются относительно высоким показателем температурной стабильности (thermal stability factor) и высоким значением туннельного магнетосопротивления (tunnel magnetoresistance), что говорит о низких затратах энергии при переключении логических состояний, и незначительной  вероятности самопроизвольных переключений логических «0» и «1» в обратные им состояния. Данные барьеры позволять производить ячейки памяти, обладающие небольшими энергозатратми при низком коэффициенте программных ошибок.

Работа выполнялась в компании Crocus Nano Electronics (ООО "Крокус Наноэлектроника") под руководством старшего инженера технолога Смирнова Е.А. и доцента кафедры физического материаловедения Ушаковой О.А.