Регистрация / Вход
Прислать материал

Перспективы использования феррит-сегнетоэлектрических композитов в качестве радиопоглощающих и экранирующих материалов и покрытий

Фамилия
Шакирзянов
Имя
Рафаэль
Отчество
Иосифович
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Технологии материалов электроники
Академическая группа
МЭН-16-1-1
Научный руководитель
к.ф.-м.н., доц. Морченко А.Т.
Название тезиса
Перспективы использования феррит-сегнетоэлектрических композитов в качестве радиопоглощающих и экранирующих материалов и покрытий
Тезис

С помощью методов диэлектрической спектроскопии, рентгенофазового анализа, высоковольтной поляризации, дифференциальной сканирующей калориметрии изучены структурные и электрофизические характеристики феррит-сегнетоэлектрических композиционных материалов на основе сегнетоэлектрических сополимеров полвинилиденфторида П(ВДФ-ТФЭ), П(ВДФ-ТрФХЭ) (коммерческие марки Ф2М, Ф42, СКФ32) и Mn-Zn феррита марки 2000НМ. Использование таких материалов в качестве широкодиапазонных радиопоглощающих и экранирующих электромагнитное излучение покрытий, применяемых в таких областях науки и техники как радиолокация, электромагнитная совместимость и экология, радиоэлектронная борьба, материалы с управляемой дисперсией, имеет большой потенциал из-за сочетания свойств магнитной фазы, способной поглощать в широком диапазоне частот, и полимерной матрицы, которая обладает высокими конструкционными (низкомодульность, стойкость к агрессивным средам и высоким температурам) и функциональными (пиро- и пьезоэлектрические свойства) характеристиками.

На основе экспериментальных данных было проведено математическое моделирование частотных спектров диэлектрической проницаемости феррит-сегнетоэлектрических композитов с использованием "конденсаторной" модели для гетерогенных сред с проводящими включениями в диэлектрической среде. Расчетные значения диэлектрической проницаемости хорошо согласуются с экспериментом.

Рисунок 1 - РФА спектры для композита Ф42/2000НМ с разной объемной концентрацией ферритового наполнителя: чистый Ф42 (1), 5 % (2), 15% (3), 50% (4)

Рисунок 2 - Результаты моделирования спектра вещественной части диэлектрической проницаемости для композита Ф42/2000НМ 40 об.%