Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка унифицированной групповой технологии изготовления мощных p-i-n диодов

Фамилия
Попова
Имя
Людмила
Отчество
Анатольевна
Номинация
Нанотехнологии
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Полупроводниковой электроники и физики полупроводников
Академическая группа
МПЭ-15-1
Научный руководитель
канд. ф.-м. н., доц. Диденко С.И.
Название тезиса
Разработка унифицированной групповой технологии изготовления мощных p-i-n диодов
Тезис

На настоящее время при изготовлении p-i-n диодов используется битумная намазка на кристаллы и защита боковой поверхности силанированием. Данные процессы отрицательно влияют на процент выхода годных кристаллов в виду недостаточной чистоты процесса и слабой защиты боковой поверхности. Разработанная унифицированная групповая технология позволяет предположить увеличение процента выхода годных диодов составит не менее 50% за счет использования чистого процесса ионно-плазменного травления и надежной защиты боковой поверхности алюмосиликатным стеклом.

Работа включает создание унифицированной групповой технологии изготовления мощных p-i-n диодов с использованием операций эпитаксии, высокотемпературного отжига с медленным ступенчатым охлаждением, глубокого плазмохимического травления мезаструктур, напыление омических контактов, создание защиты боковой поверхности мезаструктур с помощью покрытия алюмосиликатным стеклом, разделение пластин на кристаллы алмазной дисковой резкой, стандартных сборочных операций в существующую конструкцию корпуса. Маршрут разработанной технологии изготовления p-i-n диодов показан на рисунке 1, где: а - исходная рабочая подложка 60КБО-6ДМ-Е5; б - эпитаксиальное наращивание кремниевого n+ слоя (фосфор) толщиной 80 мкм, утонение со стороны А i-слоя до толщины 170 мкм; в - эпитаксиальной наращивание p+-слоя (бор) со стороны n-слоя, термический отжиг с медленным ступенчатым охлаждением; г – снятие пленки боросиликатного и фосфорно-силикатного стекла, пиролитическое окисление со стороны p+-слоя; д - первая фотолитография по SiO2 Ø 1,6 мм (маска); е – напыление Al со стороны окисла; ж – вторая фотолитография со стороны p+-слоя по Al Ø 2,0 мм (маска); з – плазмохимическое травление (ПХТ) мезы со стороны p+-слоя до n+ слоя в дне мезы; и – травление Al; к – отмывка рабочей пластины, электрофоретическое осаждение, оплавление стекла; л – третья фотолитография со стороны мез по окислу (вскрытие областей под омический контакт); м – напыление Al со стороны n+ слоя, формирование ребра жесткости со стороны n+ слоя по контуру, травление Al, ПХТ со стороны n+ слоя для утонения кристалла, травление Al; н – двухстороннее напыление Ti/Ni, гальваническое золочение, формирование омического контакта.

 

Рисунок 1 – Технологический маршрут изготовления p-i-n диода