Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии получения высокочистого диоксида кремния для синтеза сцинтилляционных кристаллических материалов детектирующих медицинских систем

Фамилия
Белозеров
Имя
Алексей
Отчество
Владимирович
Номинация
Материаловедение
Институт
Новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)
Кафедра
Материаловедения полупроводников и диэлектриков
Академическая группа
ММТМ-16-3-3
Научный руководитель
д.ф.-м.н., проф. Пархоменко Ю. Н.; асп. Щербаков К. А.
Название тезиса
Разработка технологии получения высокочистого диоксида кремния для синтеза сцинтилляционных кристаллических материалов детектирующих медицинских систем
Тезис

     В современном мире существует проблема с ростом онкологических заболеваний у населения. Выходом из сложившейся ситуации может стать диагностирование раковых заболеваний на ранней стадии. Наиболее инновационным в данной области является применение позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ). Новейшим материалом-датчиком гамма-излучения для современных ПЭТ является малораспространенный кристалл Lu2SiO5:Ce (LSO:Ce). Проблемой синтеза LSO занимаются ведущие научно-исследовательские организации различных стран и ключевым моментом для получения кристаллов высоко оптического качества является чистота исходной шихты — оксидов кремния (SiO2), лютеция (Lu2O3) и церия (CeO2).

     В настоящей работе ведутся теоретические и экспериментальные исследования в области получения высокочистого оксида кремния чистотой не менее 99,999%.

     В ходе исследований была разработана установка для получения высокочистого оксида кремния методом гидролиза тетрахлорида кремния (SiCl4). Данный метод может осуществляться разными способами, но в рассматриваемой работе разработанная установка основана на высокотемпературном гидролизе SiCl4 в факеле водородно-кислородного пламени.

     Следует отметить, что для синтеза оксида кремния необходимо использовать очищенный тетрахлорид кремния (не менее 99,999%), не малым преимуществом которого является легкость очистки путем ректификации, в результате чего содержание примесей в данном соединении не более 1·10-7%. Еще одним преимуществом предложенной установки помимо получения высокочистого оксида кремния является получение в качестве побочного продукта соляной кислоты марки «осч», которую смело можно реализовывать в дальнейшей работе.

     В настоящий момент введется составление инструкций по охране труда на данную установку.