Влияние радиационно-индуцированных дефектов смещения на полупроводниковые приборы

Актуальность:  Изучение влияния радиационно-индуцированных  дефектов смещения на характеристики полупроводниковых приборов необходимо для повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов в условиях космического пространства.

 В данной работе рассматривается явление смещения атомов из узлов решетки при взаимодействии ионизирующего излучения на твердое тело.  При этом в полупроводниковой структуре образуются различные дефекты. Дефекты смещения образуют дополнительные уровни в запрещенной зоне полупроводникового материала, что приводит к изменению его свойств.  Изменяется концентрация носителей заряда, уменьшается время жизни и подвижность носителей. Возникают различные шумы: фликер-шум (1/f-шум), случайные телеграфные сигналы, что приводит к деградации характеристик полупроводниковых приборов. Наблюдается снижение усиления в биполярных транзисторах, а также понижение выходной мощности в фотопреобразователях. Дефекты смещения влияют на эффективность накопления заряда в кремниевых детекторах и на эффективность переноса заряда в приборах с зарядовой связью.