Дифракция Лауэ на двумерных фотонных структурах, созданных методом лазерной литографии
Задачи: Создать фотонные структуры с помощью метода лазерной литографии; изучить дифракцию на созданных структурах; теоретическое обоснование полученных результатов.
Целью моей работы является создание двумерных фотонных структур с квадратной С4v, ортогональной С2v и гексагональной симметрией С6v с помощью технологии лазерной двухфотонной литографии[1], а также исследование оптических свойств полученных структур дифракционным методом.
Фотонные структуры были созданы на лазерном литографе фирмы LZH (Германия), использовался фемтосекундный лазер 50fs TiF-100F с центральной длиной волны 780 нм, длительностью импульса 50 фс и частотой повторения 80 МГц (Авеста-Проект, Россия). Структуры создавались из полимера на основе пропоксид-циркония с фотоинициатором Irgacure 369 (Ciba Spespciality Chemicalc Inc., США). Структура образцов изучалась в оптическом микроскопе, а также методом сканирующей электронной микроскопии[2,3].
Для исследования оптической дифракции использовалось сфокусированное лазерное излучение (λ= 530 нм). Подложка закреплялась на столике Федорова, который позволяет производить юстировку образца по трем осям. Дифракция наблюдалась на экране, расположенном за образцом, и регистрировалась с помощью цифровой фотокамеры[4].
Для интерпретации экспериментальных результатов рассматривалась дифракция Лауэ на одномерной цепочке рассеивателей, при этом угол рассеяния составляет 2θs=2arccos(nλ/a). При исследовании картин дифракции от структур с малым количеством рассеивателей наблюдалась сверхструктура[5].
Метод двухфотонной лазерной литографии, известный в англоязычной литературе под названием «direct laser writing», представляет собой современную технологию создания одномерных, двумерных и трехмерных микро- и нанообъектов с высоким пространственным разрешением до 100 nm. Технология основывается на эффекте нелинейного двухфотонного поглощения и реализована благодаря появлению фемтосекундных лазеров большой мощности. Фокус лазерного луча сканируется по объему фоторезиста и когда достигается определенное пороговое значение интенсивности, в фоторезисте происходит процесс полимеризации. Компьютерное управление сканированием фокуса лазерного луча по объему фоторезиста позволяет получать микро- и нано-структуры произвольной размерности и форм.
Дифракция света на низкоконтрастных структурах, к которым относятся образцы, получаемые методом лазерной литографии, описывается в борновском приближении теории рассеяния. При этом основные особенности дифракционных картин определяются структурным фактором рассеяния, который рассчитывался в данной работе.
Основным результатом работы является наблюдение сверхструктуры, т.е. разбиения прямых и гипербол на отдельные дифракционные рефлексы, число которых определяется числом рассеивателей конкретного образца. Благодаря большой интенсивности дифракции и высокому разрешению на экспериментальных картинах удается определить число отдельных рефлексов и сопоставить с результатом, который следует из расчетной дифракционной картины.
2. И. И. Шишкин, К. Б. Самусев, М. В. Рыбин и др. Стеклообразная наноструктура, изготовленная методом лазерной нанолитографии // ФТТ. – 2012. – № 54. – стр. 1852-1857.
3. Photonic Crystals: Physics, Fabrication and Applications, Ed. by K. Inoue, K. Ohtaka. – Springer, 2004. – P. 348.
4. Ivan I. Shishkin, Kirill B. Samusev, Mikhail V. Rybin et al. Inverted Yablonovite-like 3D photonic crystals fabricated by laser nanolithography // Proc. SPIE. – 2012. – Vol. 8425. – Pp. 84252C-84252C-5.
5. K. Б. Самусев, Г. Н. Юшин, М. В. Рыбин, М. Ф. Лимонов. Структурные параметры синтетических опалов: статистический анализ данных электронной микроскопии // ФТТ. – 2008. – Т. 50. – С. 1230.