Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка базовой технологии получения гетероэпитаксиальных структур

Заказы
Опубликовано 26 ноября 2018
Р 100 млн
1 день

Минпромторг России объявляет открытый конкурс на выполнение опытно-конструкторской работы на тему «Разработка базовой технологии получения гетероэпитаксиальных структур на основе AlGaN, InGaN на подложках SiC, Si диаметром до 150 мм для СВЧ-мощных транзисторов, малых интегральных схем для радиоэлектронных приборов специального назначения», шифр «Прорыв-М-Б», реализуемой в рамках подпрограммы 4 государственной программы Российской Федерации «Развитие оборонно-промышленного комплекса» (СВЧ — сверхвысокие частоты).

Начальная (максимальная) цена контракта составляет ₽100 млн, включает в себя стоимость работ, в том числе затраты, издержки и расходы исполнителя, связанные с исполнением контракта, и причитающееся ему вознаграждение, а также все налоги, сборы и другие обязательные платежи, подлежащие выплате в соответствии с законодательством Российской Федерации.

Обеспечение заявки и исполнения контракта может предоставляться путем внесения денежных средств или банковской гарантией, по выбору участника конкурса. Размер обеспечения заявки составляет ₽500 тыс., исполнения контракта — ₽50 млн.

В ходе проведения ОКР должны быть решены следующие задачи:

  • Разработана промышленная технология изготовления гетероэпитаксиальных структур на основе соединений AlGaN, InGaN на подложках SiC диаметром 76,2 и 100 мм.
  • Разработана промышленная технология изготовления гетероэпитаксиальных структур на основе соединения AlGaN на подложках Si диаметром 100 мм.
  • Разработана базовая технология изготовления гетероэпитаксиальных структур на основе соединения AlGaN на подложках Si диаметром 150 мм.
  • Разработана базовая технология изготовления гетероэпитаксиальных структур на основе соединения InGaN на подложках Si диаметром 76,2 и 100 мм.
  • Разработана и изготовлена нестандартная технологическая оснастка, узлы и блоки для изготовления гетероэпитаксиальных структур на основе соединений AlGaN, InGaN на подложках SiC и Si.

Полный перечень приводится в закупочной документации.

Для кого

Участником закупки может быть любое физическое или юридическое лицо, независимо от его организационно-правовой формы, формы собственности, места нахождения и места происхождения капитала (исключение — офшорные компании).

У претендента должна быть действующая лицензия, выданная ФСБ России или другим уполномоченным органом, на выполнение работ, связанных с использованием сведений, составляющих государственную тайну.

При рассмотрении заявок учитывается квалификация участников закупки, в том числе наличие: финансовых ресурсов, оборудования и других материальных ресурсов, принадлежащих им на праве собственности или на ином законном основании; опыта работы, связанного с предметом контракта, и деловой репутации; специалистов и иных работников определенного уровня квалификации.

Соискатели не должны находиться в состоянии проведения ликвидации, банкротства, приостановления деятельности, не должны иметь недоимки по налогам и сборам, задолженности по иным обязательным бюджетным платежам за прошедший календарный год, а также не должны состоять в реестре недобросовестных поставщиков (подрядчиков, исполнителей). Полный перечень требований приводится в конкурсной документации.

Что нужно сделать

Для участия нужно подать заявку по адресу: 109074, г. Москва, Китайгородский проезд, д. 7.

В состав заявки входят копии учредительных документов, декларация о принадлежности участника открытого конкурса к юридическим лицам или индивидуальным предпринимателям. Исполнитель в обязательном порядке предоставляет также выписку из Единого государственного реестра юридических (физических) лиц или засвидетельствованную в нотариальном порядке копию такой выписки.

Полный список документов, входящих в состав заявки, приводится в конкурсной документации.

Сроки

Заявки и требуемые документы принимаются до 14 декабря 2018 года.

Работы должны быть выполнены до 30 ноября 2020 года.

Контакты

За дополнительной информацией можно обращаться по тел.: 7 (495) 632-88-88*3204, e-mail: 68ac32bcf47plyasunovyv@minprom.gov.ru, Плясунов Юрий Владимирович.

Материал подготовлен на основе сообщения на странице закупки.

Система Orphus Если Вы заметили ошибку, выделите её и нажмите Ctrl + Enter.