Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.

Шифр лота
2005-ИН-00.3/003
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
03.11.2005
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Внебюджетные средства
0 млн

обеспечение создания производства подложек, удовлетворяющих требованиям получения эпитаксиальных структур, применяемых в светодиодах и транзисторах.

Заявки
Тема
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-00.3/003/029
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Тема
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-00.3/003-028

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1 Программное мероприятие
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Организация
ПАО "Светлана"
профинансировано
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка метода получения высокоомных слоев нитрида алюминия на карбиде кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии и оборудования для обеспечения производства подложек нитрида галлия приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1