Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка новых методов создания атомно-гладкой поверхности полупроводников A3B5.

Шифр лота
2005-ИН-12.1/005
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
12.05.2005 00:00
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Разработка методов формирования и контроля атомно-гладкой поверхности материалов A3B5, совмещаемых со сверхвысоковакуумными технологическими операциями в процессах создания оптоэлектронных приборов.

Заявки
Тема
Разработка новых методов создания атомно-гладкой поверхности полупроводников A3B5.
Исполнитель
ИФП СО РАН
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-12.1/005/048
Разработка новых методов создания атомно-гладкой поверхности полупроводников A3B5.
Тема
Разработка новых методов создания атомно-гладкой поверхности полупроводников A3B5.
Исполнитель
ИФТТ РАН
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-12.1/005-029

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.2 Проблемно-ориентированные поисковые исследования фундаментального характера
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
6 млн
Организация
ИФП СО РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 31 мес.
Бюджетные средства
11 млн
Организация
ИФП СО РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФП СО РАН
профинансировано
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
2
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 – 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Полупроводниковые и металлические магнитные наноструктуры для спинтроники
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
6