Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.

Шифр лота
2005-ИН-13.1/003
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
12.05.2005 00:00
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Разработка технологии осаждения из летучих комплексных и элементоорганических соединений диэлектрических пленок с различными значениями диэлектрической проницаемости; слоев нанокластеров, встроенных в диэлектрик, для создания образцов устройств памяти.

Заявки
Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.
Тема
Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.
Исполнитель
Томский государственный университет, НИ ТГУ, ТГУ
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-13.1/003/020
Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.
Тема
Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.
Исполнитель
ИНХ СО РАН
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-13.1/003-016

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Похожие конкурсы Похожие проекты
Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
Томский государственный университет, НИ ТГУ, ТГУ
профинансировано
Создание многокомпонентного тонкопленочного диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью основного функционального слоя твердотельного суперконденсатора
Продолжительность работ
2012 - 2013, 16 мес.
Бюджетные средства
1,65 млн
Организация
Московский физико-технический институт (государственный университет), Московский физико-технический институт, МФТИ
профинансировано
Разработка процессов атомно-слоевого осаждения нанослоев многокомпонентных оксидов с высокой диэлектрической проницаемостью
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Организация
Московский физико-технический институт (государственный университет), Московский физико-технический институт, МФТИ
профинансировано
Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области электроники и перспективных материалов в интересах высокотехнологичных секторов экономики с использованием современной экспериментальной базы : 1. Исследование интегрально-оптического модулятора на ниобате лития, выполненного на базе протонообменных канальных волноводов 2. Рентгеновские исследования планарных наноразмерных структур на основе TiO2, Al2O3 и их смесей, выращенных методом атомно-слоевого осаждения 3. Исследование процесса получения тонкопленочного покрытия для плазменных зондов 4. Исследование основных характеристик эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5 и твердых растворов на их основе 5. Изучение влияния ростовых дефектов гетероэпитаксиальных слоев твердого раствора теллурида кадмия-ртути (ГЭС КРТ) на вольт-фарадные характеристики структур ГЭС КРТ/пассивирующее диэлектрическое покрытие 6. Исследование субмикронных порошков Lu1-xYxBO3:Eu,Ce методами растровой электронной микроскопии, катодолюминесценции и элементного микроанализа 7. Исследование структуры и свойств тонких пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x 8. Изучение возможности использования пленки метастабильного твердого GeO как перспективного материала для нанотехнологии 9. Исследование нанокластеров кремния в пленках оксида и нитрида кремния с применением микроскопии и рентгеновского анализа 10. Синтез и изучение электрофизических свойств ультратонких углеродных пленок 11. Изучение метрологических характеристик сканирующих головок атомно-силового микроскопа, используемых для контроля технологических операций в микро- и наноэлектронике 12. Разработка криогенного фильтра низких частот на основе интегральных тонкопленочных конденсаторов
Продолжительность работ
2010, 2 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Организация
Московский физико-технический институт (государственный университет), Московский физико-технический институт, МФТИ
профинансировано
Создание прототипа твердотельного суперконденсатора на основе углеродных материалов с использованием в качестве диэлектрика многокомпонентных оксидов переходных металлов с высокой диэлектрической проницаемостью.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 13 мес.
Бюджетные средства
1,85 млн
Организация
Московский физико-технический институт (государственный университет), Московский физико-технический институт, МФТИ
профинансировано
Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности
Тема
Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
2
Разработка метода получения наноструктурированных металлических элементов на поверхности диэлектриков с использованием лазерного осаждения металла из жидкой фазы для создания элементов устройств современной фотоники и микроэлектроники с участием научных организаций Финляндии.
Тема
Разработка метода получения наноструктурированных металлических элементов на поверхности диэлектриков с использованием лазерного осаждения металла из жидкой фазы для создания элементов устройств современной фотоники и микроэлектроники с участием научных организаций Финляндии.
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
4 млн
Количество заявок
1
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.
Тема
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2017 - 2018, 14 мес.
Бюджетные средства
27 млн
Количество заявок
0
Разработка композиций и методов получения тонкопленочных покрытий для электрохромных устройств на основе электроактивных полимеров.
Тема
Разработка композиций и методов получения тонкопленочных покрытий для электрохромных устройств на основе электроактивных полимеров.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2
Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности.
Тема
Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1