Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.

Шифр лота
2005-ИН-13.3/001
Количество поданных заявок
3
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
11.04.2005 00:00
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Создание технологии получения монокристаллов широкозонных полупроводников диаметром не менее 50 мм для новой элементной базы - рентгеносцитилляционных элементов приборов оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, досмотровой техники.

Заявки
Тема
Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
Исполнитель
АО "НИИ МВ"
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-13.3/001/016
Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
Тема
Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
Исполнитель
АО "Гиредмет"
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-13.3/001-013

  Другие заявки (1)

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Тема
Разработка технологии и оборудования для обеспечения производства подложек нитрида галлия приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка комплекса методов выращивания высокосовершенных монокристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV для применения в микро- и оптоэлектронике.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
2
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2017 - 2018, 14 мес.
Бюджетные средства
27 млн
Количество заявок
0
Тема
Разработка технологий выращивания крупногабаритных монокристаллов со структурой граната для применения в оптоэлектронике и лазерной технике.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
4