Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии, обеспечивающей получение наногетероструктур на основе соединений А3В5 и Si-Ge, и базовой технологии их получения

Шифр лота
2005-ИН-22.3/004
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
03.06.2005
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Внебюджетные средства
10 млн

разработка технологического эпитаксиального оборудования – многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), обеспечивающей получение наногетероструктур на основе InAlGaAs/GaAs; InAlGaN/GaN, Si-Ge или комбинаций данных систем материалов и базовой технологии выращивания нанослоёв этих материалов

Заявки
Тема
Разработка многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии, обеспечивающей получение наногетероструктур на основе соединений А3В5 и Si-Ge, и базовой технологии их получения
Исполнитель
ЗАО "НТО"
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-22.3/004/021
Разработка многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии, обеспечивающей получение наногетероструктур на основе соединений А3В5 и Si-Ge, и базовой технологии их получения
Тема
Разработка многофункциональной установки молекулярно-пучковой эпитаксии, обеспечивающей получение наногетероструктур на основе соединений А3В5 и Si-Ge, и базовой технологии их получения
Исполнитель
ИАП РАН
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-22.3/004-020

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

2.2 Проведение опытно-конструкторских, технологических и экспериментальных разработок по приоритетным направлениям развития научно-технической сферы (в том числе на долевой основе с хозяйствующими субъектами)
Тема
Разработка автоматизированной платформы на основе связанных кластеров технологических и аналитических модулей молекулярно-лучевой эпитаксии и имплантации ионными пучками.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 25 мес.
Бюджетные средства
250 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка комплексно оснащённых, компактных нанотехнологических лабораторий, предназначенных для создания широкого класса полупроводниковых приборов, в том числе для разработки опытно-промышленной технологии производства наногетероструктур для широкоформатных QWIP-матриц тепловых сенсоров.
Продолжительность работ
2009 - 2011, 24 мес.
Бюджетные средства
150 млн
Количество заявок
2
Тема
НК-442П Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлениям: «Многофункциональное приборостроение для промышленных систем управления», «Приборостроение, основанное на новых физических принципах», «Авиационное двигателестроение», «Авиационные материалы», «Станкостроение», «Космические системы», «Конструирование летательных аппаратов», «Спецметаллургия», «Микроэлектроника», «Судостроение», «Ракетостроение», «Установки и технологии на основе мощного импульсного нейтронного и гамма излучений», «Ядерно-энергетические установки нового поколения», «Лазерные, плазменные и пучковые технологии для атомной техники» в рамках мероприятия 1.3.1 Программы
Продолжительность работ
2009 - 2011, 25 мес.
Бюджетные средства
0 млн
Количество заявок
7
Тема
Разработка технологии получения многофункциональных материалов на основе наноуглерода.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
2