Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка и создание сверхбыстродействующих устройств наноэлектроники на основе туннельно – резонансных гетероструктур

Шифр лота
2005-ИН-22.5/001
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
01.08.2005
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
0 млн

разработка технологии новой элементной базы электроники на базе функционально-интегрированных резонансно-туннельных диодов и полевых гетероструктурных транзисторов, разработка конструкций элементов схем, включающих классические и квантовые элементы, разработка технологии изготовления гетероструктур, допускающих монолитную интеграцию резонансно-туннельных и транзисторных элементов.

Заявки
Тема
Разработка и создание сверхбыстродействующих устройств наноэлектроники на основе туннельно – резонансных гетероструктур
Исполнитель
ФИАН
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-22.5/001/016
Разработка и создание сверхбыстродействующих устройств наноэлектроники на основе туннельно – резонансных гетероструктур
Тема
Разработка и создание сверхбыстродействующих устройств наноэлектроники на основе туннельно – резонансных гетероструктур
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИН-22.5/001-007

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

2.2 Проведение опытно-конструкторских, технологических и экспериментальных разработок по приоритетным направлениям развития научно-технической сферы (в том числе на долевой основе с хозяйствующими субъектами)
Продолжительность работ
2005 - 2006, 12 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области естественных наук: 1. Теория и практика образования и эволюции нанокомпозитов с иерархической структурой пор в золь-гель процессах; 2. Сканирующая зондовая микроскопия материалов и элементов микро- и наноэлектроники. Новые аналитические возможности; 3. Материаловедение и диагностика элементов альтернативной энергетики; 4. Анализ структуры пористых материалов и релаксационных явлений в них; 5. Исследование наноструктурированных континуальных систем сегнетоэлектрик-полупроводник (диэлектрик) для нового поколения устройств функциональной электроники; 6. Исследование нелинейных свойств сегнетоэлектрических пленок в СВЧ диапазоне с целью создания формирователей ультракоротких импульсов; 7. Диагностика энергетического спектра светодиодных гетероструктур на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN методами адмиттансной спектроскопии; 8. Моделирование и подгонка экспериментальных вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами; 9. Политипизм и пути оптимизации дефектной структуры слитков карбида кремния; 10. Исследование процессов синтеза естественных сверхрешеток
Продолжительность работ
2009, 3 мес.
Бюджетные средства
2,9 млн
Организация
CПбГЭТУ "ЛЭТИ"
профинансировано
Тема
Резонансно-туннельные наногетероструктуры для квантово-классических интегральных схем.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка методов создания резонансных наногетероструктур нового типа на основе InAlAs/InGaAs/InP с целью получения монолитных и квазимонолитных КВЧ интегральных устройств.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 20 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Оптимизация методов синтеза углеродных нанотрубок различных модификаций для применения в материалах функциональных элементов наноэлектроники
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
10
Тема
Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1