Регистрация / Вход
Прислать материал

Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.

Шифр лота
2005-ИТ-12.6/001
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
12.05.2005 00:00
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6,3 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Получение необходимого комплекса научных результатов, обеспечивающих разработку технологии молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) гетероструктур в системе AlGaN/GaN для светоизлучающих диодов глубокого ультрафиолетового диапазона (УФ-СИД), которые, являясь малогабаритными, экономичными, безопасными и экологичными излучателями УФ-света, необходимы для развития УФ-локации и связи, мониторинга среды и технических обьектов.

Заявки
Тема
Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.
Исполнитель
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИТ-12.6/001/002
Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.
Тема
Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.
Исполнитель
ПАО "Светлана"
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИТ-12.6/001-006

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.2 Проблемно-ориентированные поисковые исследования фундаментального характера
Тема
Разработка методов изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Создание метрологического комплекса и нормативно-методической базы для обеспечения единства измерений оптических характеристик излучателей на основе полупроводниковых многослойных наноразмерных гетероструктур (светодиодов).
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
35 млн
Количество заявок
1
Тема
Нанокерамика на основе соединений с высоким светопропусканием в среднем ИК-диапазоне для когерентных и некогерентных источников излучения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии получения полупроводниковых излучателей для создания высокоэффективных RGB источников белого света для систем освещения нового поколения.
Продолжительность работ
2008 - 2010, 27 мес.
Бюджетные средства
130 млн
Количество заявок
1