Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.

Шифр лота
2005-ИТ-13.6/001
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
12.05.2005 00:00
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Разработка технологии получения нитридных структур для СВЧ-транзисторов диапазона 8 – 12 ГГц с параметрами мирового уровня.

Заявки
Тема
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Исполнитель
ПАО "Светлана"
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2005-ИТ-13.6/001/007
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Тема
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Исполнитель
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2005-ИТ-13.6/001-003

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Организация
ПАО "Светлана"
профинансировано
Тема
Разработка технологии ин-ситу пассивации поверхности нитридных гетероструктур и создания невплавных омических контактов к ним
Продолжительность работ
2015 - 2016, 14 мес.
Бюджетные средства
7,8 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии и организация опытного производства гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на кремниевых подложках для изделий силовой микроэлектроники.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 17 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка опытно-промышленной технологии мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в УФ диапазоне, на основе высокоэффективных наногетероструктур нитридных полупроводниковых материалов.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
95 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2