Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников.

Шифр лота
2008-03-1.3-07-48
Количество поданных заявок
2
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
18.09.2008
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Создание метода получения ионно-легированных структур на основе карбида кремния для перспективных разработок нового поколения приборов силовой электроники, работоспособных в экстремальных условиях эксплуатации (повышенные температуры и уровень радиации, химически агрессивные среды, космос).

 Все лоты данного конкурса (15)

Тема
Наноструктурированные функциональные полимерные и композиционные материалы для использования в стоматологии и медицине.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка методов лазерной стимуляции процессов самоорганизации объемных нанокомпозиций на биополимерной и нанотрубочной основах.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка конструкции и методов изготовления электромеханической памяти на основе наносегнетоэлектрических структур.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
3
Тема
Исследование и разработка принципов построения и схемотехники оптико-электронного голографического нанолитографа.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов получения световодов с разбросом в диаметре не более 0,1 % по всей длине канала для приборов ночного видения.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка нового класса антисептических материалов на основе электроположительных кристаллических нановолокон неорганических материалов.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка метода получения высокоомных слоев нитрида алюминия на карбиде кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание элементов микроэлектромеханических матричных акселерометров на базе наноразмерных функциональных слоев.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
4
Тема
Разработка методов получения биосовместимых структур на основе полимерных (композиционных) материалов для применения в производстве ферментативных тест-систем.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка новых нанокомпозиционных термоэластопластов с регулируемыми физико-механическими и эксплуатационными характеристиками для изделий автомобильной промышленности.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов получения наномодифицированных износо- и термоэрозионностойких керамических материалов с повышенными эксплуатационными свойствами.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка методов лазерной обработки анизотропных кристаллических материалов для изготовления элементов сложной геометрической формы.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка универсальных эмульгаторов, составов и технологии производства строительных материалов различного назначения на водных эмульсиях полимерных связующих.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов получения мембран, обладающих свойствами асимметрического газопереноса.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Заявки
Тема
Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников.
Цель
Создание метода получения ионно-легированных структур на основе карбида кремния для перспективных разработок нового поколения приборов силовой электроники, работоспособных в экстремальных условиях эксплуатации (повышенные температуры и уровень радиации, химически агрессивные среды, космос).
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2008-03-1.3-07-48-018
Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников.
Тема
Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников.
Цель
Создание метода получения ионно-легированных структур на основе карбида кремния для перспективных разработок нового поколения приборов силовой электроники, работоспособных в экстремальных условиях эксплуатации (повышенные температуры и уровень радиации, химически агрессивные среды, космос).
Исполнитель
ООО "СПП Кристалл"
Руководитель работ
Рыжук Роман Валерьевич
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2008-03-1.3-07-48-022

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2008, 1 мес.
Бюджетные средства
2,4 млн
профинансировано
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Многофункциональные гомо- и гетероструктуры на основе соединений AIVBIV и AIIIBV для перспективных разработок нового поколения приборов силовой и СВЧ-электроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологий получения эпитаксиальных широкозонных гетероструктур для нового поколения СВЧ- и/или силовых приборов
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
5
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 – 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Синтез тонких пленок карбида кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
3